场效应管工作原理与应用精品课件.pptVIP

3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理 3.1 MOS 场效应管 第 3 章　场效应管 概 述 　　场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。 场效应管分类： 3.1　MOS 场效应管 　　N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。 3.1.1　增强型 MOS 场效应管 N 沟道 EMOSFET 结构示意图 N 沟道 EMOS 管外部工作条件 VDS 0 (保证漏衬 PN 结反偏)。 U 接电路最低电位或与 S 极相连(保证源衬 PN 结反偏)。 VGS 0 (形成导电沟道) N沟道 EMOS 管工作原理 N 沟道 EMOSFET 沟道形成原理 假设 VDS = 0，讨论 VGS 作用 VGS 越大，反型层中 n 越多，导电能力越强。 VDS 对沟道的控制(假设 VGS VGS(th) 且保持不变) VDS 很小时 → VGD  VGS 。此时 W 近似不变，即 Ron 不变。 由图　　　　　　　　VGD = VGS - VDS 因此 VDS→ID 线性 。 若 VDS →则 VGD  → 近漏端沟道 → Ron增大。 此时 Ron →ID 变慢。 当 VDS 增加到使 VGD  = VGS(th) 时 → A 点出现预夹断 若 VDS 继续 →A 点左移 → 出现夹断区 此时 VAS = VAG + VGS = -VGS(th) + VGS (恒定) 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为 l 不变(即 Ron不变)。 因此预夹断后： VDS  →ID 基本维持不变。 若考虑沟道长度调制效应 则 VDS  →沟道长度 l  →沟道电阻 Ron略 。 因此 VDS  →ID 略 。 由上述分析可描绘出 ID 随 VDS 变化的关系曲线： 曲线形状类似三极管输出特性。 MOS 管仅依靠一种载流子(多子)导电，故称单极型器件。 三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件。 　　利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压 VGS 的变化，改变感生电荷的多少，从而改变感生沟道的宽窄，控制漏极电流 ID 。 MOSFET 工作原理： 　　由于 MOS 管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。 共源组态特性曲线： 伏安特性 　　转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程，它们之间可以相互转换。 NEMOS 管输出特性曲线 非饱和区 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 当 VGS为常数时，VDSID 近似线性，表现为一种电阻特性； 当 VDS为常数时，VGS ID ，表现出一种压控电阻的特性。 沟道预夹断前对应的工作区。 因此，非饱和区又称为可变电阻区。 数学模型： 此时 MOS 管可看成阻值受 VGS 控制的线性电阻器： VDS 很小 MOS 管工作在非饱区时，ID 与 VDS 之间呈线性关系： 其中，W、l 为沟道的宽度和长度。 COX (=  / OX) 为单位面积的栅极电容量。 注意：非饱和区相当于三极管的饱和区。 饱和区 特点： 　　ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似三极管的正向受控作用。 沟道预夹断后对应的工作区。 　　考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。 注意：饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区。 数学模型： 若考虑沟道长度调制效应，则 ID 的修正方程： 　　工作在饱和区时，MOS 管的正向受控作用，服从平方律关系式： 其中， 称沟道长度调制系数，其值与 l 有关。 通常  = (0.005 ~ 0.03 )V-1 截止区 特点： 相当于 MOS 管三个电极断开。 沟道未形成时的工作区 条件： VGS VGS(th) ID = 0 以下的工作区域。 IG  0，ID  0 击穿区 VDS 增大到一定值时漏衬 PN 结雪崩击穿  ID 剧增。 VDS 沟道 l   对于 l 较小的 MOS 管  穿通击穿。 　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损坏。 MOS 管保护措施： 分立的