半导体物理学(第7版)第五章习题及答案.pdfVIP

第五章习题 13 -3, 1. 在一个 n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为 10 cm 空穴的寿命为 100us。计算空穴的复合率。 13 3   已知：p 10 /cm , 100 s 求：U？ 解：根据  p U p 13 17 3 得：U  10 10 /cm s  100106 2. 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 解：均匀吸收，无浓度梯度，无飘移。 dp p   g dt  L t  方程的通解：p(t)Ae g  L dp (2)达到稳定状态时， 0 dt p  g 0.  L p g 3. 有一块 n 型硅样品，寿命是 1us，无光照时电阻率是 10•cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀 22 -3 s-1 的吸收，电子-空穴对的产生率是 10 cm • ,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡 献占多大比例？ p 光照达到稳定态后. g 0  L  22 6 16 3 p ng 10 10 10 cm 1  光照前 :  10cm 0   n q p q 0 n 0 p        光照后: np pq n q p q nq pq n p 0 n 0 p n p 16 19 16 19 0.1010 1.610 135010 1.610 500 0.12.963.06s/cm 1   0.32cm.  少数载流子对电导的贡献 p p .所以少子对电导的贡献,主要是p的贡献. 0 p9u 16 19 10 1.610 500 0.8  p   26% 1 3.06