《变频技术原理与应用第2版》习题解答.pdfVIP

第 1 章习题解答 l 什么是变频技术? 变频技术，简单的说就是把直流电逆变成为不同频率的交流电，或是把交流变成直流再 逆变成不同频率的交流，或是把直流变成交流再把交流变成直流。在这些变化过程中，一般 只是频率发生变化。 现在人们常说的变频技术主要是指交流变频调速技术，它是将工频交流电通过不同的技 术于段变换成不同频率的交流电。 2 变频技术的类型有哪儿种? 变频技术主要有以下几种类型: 1)交一直变频技术(即整流技术)。它通过二极管整流、二极管续流或晶闸管、 r}J 率晶体 管可控整流实现交直流转换。 2) 直一直变频技术(即斩波技术)。它通过改变功率半导体器件的通断时间，即改变脉冲 的频率(定宽变频)，或改变脉冲的宽度(定频调宽)，从而达到调节直流平均电压的目的。 3) 直一交变频技术(即逆变技术)。振荡器利用电子放大器件将直流电变成不同频率的交 流电(甚至电磁波)。逆变器则利用功率开关将直流电变成不同频率的交流电。 4) 交一交变频技术(即移相技术)。它通过控制功率半导体器件的导通与关断时间，实现 交流无触点开关、调压、调光、调速等目的。 3 简述变频技术的发展趋势? 变频技术的发展趋势如下: (1)交流变频向直流变频方向转化 (2) 功率器件向高集成智能功率模块发展 (3)缩小装置的尺寸 (4) 高速度的数字控制 (5) 模拟器与计算机辅助设计 (CAD) 技术 第 2 章习题解答 1.使晶闸管导迪的条件是什么? ①当门极电流IG=O 时，如果在晶闸管两端施加正向电压，则 J2 结处于反偏，晶闸管处于 正向阻断状态。 ②如果正向电压超过|临界极限即正向转折电压Ubo 时，则漏电流急剧增大，晶闸管导通。 ③导通期间，如果门极电流为霉，并且阳极电流降到维持电流 IH 以下，则晶闸管又回到 正向阻断状态。 2. 什么是晶闸管的浪涌电流? 浪涌电流ITSM 是一种由于电路异常情况(如故障)引起的并使结温超过额定结温的不重 复性最大正向过载电流。浪涌电流有上下限两个级，这些不重复电流定额用来设计保护电路。 3. 如何判断晶闸管管脚极性? 用万用表 RX 1kf】挡测量晶闸管的任意两管脚电阻，其中有一管脚对另外两管脚正反向电 阻都很大，在几百千欧以上，此管脚是阳极A。 再用万用表 RX 100 挡测量另外两个管脚的 电阻值，应为数十欧到数百欧， {且正反向电阻值不一样，阻值小时黑表笔所接的管脚为控制 极 G，另一管脚就是阴极K。 4.什么是 GTO 的电流关断增益? 最大可关断阳极电流 IATO 和门极负电流最大值 IGM 之比被称为电流关断增益。 一般F off 只有 5 左右。 ß off 是 GTO 的一个重要参数，其值愈大，说明门极电流对阳极电流的控 制能力愈强。 5. 试说明 GTR 三种缓冲电路的特点? RC 缓冲电路较简单，它对关断时集电极-发射极问电压上升有抑制作用，适用于小容量 的 GTR (电流lOA 以下)。 R-C-VD 缓冲电路增加了缓冲二极管 VD2， 可以用于大容量的 GTRo 但缓冲电路的电阻 较大，不适合用于高频开关电路。 阻止放电型 R-C-VD 缓冲电路，常用于大容量 GTR 和高频开关电路缓冲器。最大的优点 是缓冲产生的损耗小。 6. 简述功率MOSFET 的特性。 功率场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的，因此同双极型晶体管相比，功率 MOSFET 具有两个显著的特点: 一个是驱动电路简单，驱动功率小;另一个是开关速度快、工作频率 高。另外，其热稳定性也优于双极型晶体管。 7. 功率 MOSFET 的保护技术有哪些? 栅源过压保护，漏源过压保护，峰值电流保护，有效值电流保护，过热保护和静电保护。 8. 使用 IGBT 时，为什么要考虑过电流和过电压保护，一般过电压常采用的保护措施有哪些? 1)过电流保护。若 IGBT 用于 VVVF 逆变器，当电动机启动时将产生突变电流，如果 控制回路、驱动回路的配线欠合理，将会引起误动作，导致桥臂短路、输出短路等事故，使 IGBT 流过过电流。其中，发生短路事故时，电流变化非常迅速，而且元件要承受极大的电 压和电流，所以必须快速检测出过电流，在元件未被损坏之前，使其自动断开。 2) 过电压保护。 IGBT 关断时，由于主回路电流的急剧变化，由主回路杂散电感引起 高压， 产生开关浪涌电压。可设置缓冲器抑