CMOS工艺流程版图剖面.pptxVIP

CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图3. Simplified CMOS Process Flow4. MOS电路版图举例 1) 简化N阱CMOS工艺演示光刻1，刻N阱掩膜版氧化层P-SUB氧化层生长光刻胶掩膜版光刻1，刻N阱掩膜版曝光光刻1，刻N阱掩膜版氧化层的刻蚀光刻1，刻N阱掩膜版N阱注入N阱P-SUB形成N阱掩膜版二氧化硅光刻2，刻有源区掩膜版氮化硅的刻蚀N阱掩膜版氮化硅光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅场氧的生长N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版FOX去除氮化硅N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版场氧栅氧重新生长二氧化硅（栅氧）N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅生长多晶硅N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版掩膜版刻蚀多晶硅N阱光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅刻蚀多晶硅N阱P+光刻4，刻P+离子注入掩膜版掩膜版P+离子注入N阱N+光刻5，刻N+离子注入掩膜版N+离子注入N阱PSG生长磷硅玻璃PSGN阱光刻6，刻接触孔掩膜版N+P+光刻接触孔N阱光刻7，刻Al掩膜版Al刻铝N阱VDDVoVSS刻铝N阱钝化层光刻8，刻压焊孔掩膜版N阱2) 清华工艺录像N阱硅栅CMOS工艺流程初始氧化光刻1，刻N阱N阱形成N阱Si3N4N阱P-Si SUB缓冲用SiO2Si3N4淀积有源区有源区光刻2，刻有源区，场区硼离子注入N阱场氧1N阱光刻3N阱场氧2N阱栅氧化层栅氧化，开启电压调整N阱多晶硅栅氧化层多晶硅淀积N阱NMOS管硅栅N阱光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管用光刻胶做掩蔽PMOS管硅栅N阱光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管用光刻胶做掩蔽磷硅玻璃N阱磷硅玻璃淀积N阱光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔)VinVSSNMOS管硅栅磷硅玻璃PMOS管硅栅VDDVo硼注入N阱P-SUB磷注入蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形）离子注入的应用N阱硅栅CMOS工艺流程砷75As+磷31P+P sub. 〈100〉3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 形成N阱初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层光刻1，定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+N阱P sub. 〈100〉形成P阱 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层 P阱离子注入，注硼P阱N阱推阱退火驱入，双阱深度约1.8μm去掉N阱区的氧化层形成场隔离区生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来反应离子刻蚀氮化硅场区硼离子注入以防止场开启热生长厚的场氧化层去掉氮化硅层11B+31P+光刻胶阈值电压调整注入光刻3，VTP调整注入光刻4，VTN调整注入P阱N阱形成多晶硅栅（栅定义） 生长栅氧化层 淀积多晶硅 光刻5， 刻蚀多晶硅栅形成硅化物淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer, sidewall）淀积难熔金属Ti或Co等低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2形成N管源漏区光刻6，利用光刻胶将PMOS区保护起来离子注入磷或砷，形成N管源漏区形成P管源漏区光刻7，利用光刻胶将NMOS区保护起来离子注入硼，形成P管源漏区形成接触孔 化学气相淀积BPTEOS硼磷硅玻璃层退火和致密光刻8，接触孔版反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔形成第一层金属淀积金属钨(W)，形成钨塞形成第一层金属淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻9，第一层金属版，定义出连线图形反应离子刻蚀金属层，形成互连图形正硅酸乙脂（TEOS）分解650～750℃形成穿通接触孔化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解Plasma Enhanced TEOS ：tetraethylorthosilicate [Si-(OC2H5)4] -- 通过化学机械抛光进行平坦化光刻穿通接触孔版反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔形成第二层金属淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻10，第二层金属版，定义出连线图形反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形合金 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 光刻11，钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形测试、封装，完成集成电路的制造工艺 CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程甘油 甘油 首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和?杂质，三氧化二铝必