5-光纤的制备工艺-管内法.pdfVIP

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制棒 MCVD(Modified Chemical Vapore Deposition) MCVD(改进的化学汽相沉积法)工艺为朗讯等公司所采用的方法。MCVD工艺是一种以氢氧焰热源,发 生在高纯度石英玻璃管内进行的气相沉积。 MCVD工艺的化学反应机理为高温氧化。 MCVD工艺是由 沉积和成棒两个工艺步骤组成。沉积是获得设计要求的光纤芯折射率分布,成棒是将巳沉积好的空 心高纯石英玻璃管熔缩成一根实心的光纤预制棒芯棒。 制棒 PCVD(Plasma-Activated Vapore Deposition) PCVD 与MCVD 的工艺相似之处是,它们都是在高纯石英玻璃管管内进行气 相沉积和高温氧化反应。所不同之处是热源和反应机理, PCVD工艺用的热 源是微波,其反应机理为微波加热产生等离子使气体电离。离子重新结合 时释放出的热能熔化反应物形成透明的石英玻璃沉积薄层。 PCVD方法可以更为准确地控制光纤的折射率分布。而且沉积效率高, 沉积 速度快, 有利于消除SiO 层沉积过程中的微观不均匀性, 从而大大降低光 2 纤中散射造成的本征损耗, 适合制备复杂折射率剖面的光纤。 PCVD制棒 制棒 PCVD加温头 制棒 预制棒熔缩 经PCVD沉积好的管子在熔缩车床上熔缩成一实心预制棒。 套棒 芯棒测试 熔缩好的芯棒经设备测试确 定芯棒质量 套 棒 制棒 实心棒 套管棒

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