半导体光电子学第6章半导体发光二极管.pptxVIP

6.1 概述半导体发光二极管和半导体激光器在工作原理上的根本区别在于前者是利用注入有源区的载流子自发辐射复合而发出光子，而后者则是受激辐射复合发光的。用于光纤通信的发光二极管从材料到器件的异质结构都与半导体激光器没有很大差别，因而前面1～3章的一些基本理论对半导体发光二极管也是适用的。半导体激光器与发光二极管在结构上的主要差别是前者有光学谐振腔，使复合所产生的光子在腔内振荡和放大；而后者则没有谐振腔。正是由于它们在发光机理和上述这一基本结构上存在差别，而使它们在主要性能上存在明显差别。例如，半导体发光二极管不象激光器那样存在阈值特性，输出功率与注入电流之间呈线性关系；因为自发发射的随机性，致使发光管的光谱宽度比激光器高几个数量级；光束发散角也很大，因而与光纤藕合效率要比半导体激光器的情况低得多；输出的光功率也要比半导体激光器低得多．尽管与半导体激光器相比，半导体发光二极管有许多不足之处，但它却在中、短距离光纤通信中得到了广泛的应用。弥补了半导体激光器的某些不足。这是由它的以下特点所决定的：1．不存在阈值特性，P-I线性好，因而有利于实现信号无畸变的调制，这在高速模拟调制中是特别重要的；2．虽然半导体发光二极管的光相干性很不好，但正因为如此，避免了半导体激光器容易产生模分配噪声和对来自于光纤传输线路中反射光较灵敏的缺点； 3．工作稳定，输出功率随温度的变化较小，不需要精确的温度控制，