《微电子学概论》Chap03.pptx

硅片上好的芯片数100%Y=硅片上总的芯片数第三章 大规模集成电路基础3. 1 半导体集成电路概述集成电路（Intergrated Circuit，IC）集成电路领域中两个常用术语芯片（Chip, Die）：没有封装的单个集成电路。硅片（Wafer）：包含许多芯片的大圆硅片。集成电路的成品率：成品率的检测，决定工艺的稳定性，成品率对集成电路厂家很重要集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗（功耗延迟积，又称电路的优值。功耗延迟积越小，集成电路的速度越快或功耗越低，性能越好） 特征尺寸（集成电路中半导体器件的最小尺度） 可靠性集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比集成电路发展的特点：性能提高、价格降低主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积缩小尺寸： 0.5μm(深亚微米)~0.25~0.18 μ m(超深亚微米)～0.13 μ m增大硅片：8英寸~12英寸集成电路的关键技术：光刻技术(DUV)新的光刻技术： EUV （甚远紫外） SCAPEL(Bell Lab.的E-Beam) X-ray亚0.1mm：一系列的挑战，亚50nm：关键问题尚未解决定义电路的输入输出（电路指标、性能）原理电路设计电路模拟(SPICE)不符合布局(Layout)考虑寄生因素后的再模拟不符合原型电路制备测试、评测工艺问题定义问题产品集成电路的制造过程： 设计 工艺加工 测试 封装集成电路产业的发展趋势：独立的设计公司（Design House）独立的制造厂家（标准的Foundary）集成电路类型：数字集成电路、模拟集成电路数字集成电路基本单元：开关管、反相器、组合逻辑门模拟集成电路基本单元：放大器、电流源、电流镜、转换器等3.2 双极集成电路基础（具有速度快、稳定性好、负载能力强等特点）一、集成电路中的双极晶体管有源元件：双极晶体管(有电子和空穴两种载流子）无源元件：电阻、电容、电感等PN结隔离的平面npn双极晶体管在硅片上形成各自（各种晶体管、二极管、电阻、电容等）电绝缘的隔离区。二、双极型数字集成电路基本单元：逻辑门电路双极逻辑门电路类型（几种主要的）：电阻耦合型---电阻-晶体管逻辑 (RTL)：二极管耦合----二极管-晶体管逻辑 (DTL)晶体管耦合----晶体管-晶体管逻辑 (TTL)合并晶体管----集成注入逻辑 (I2L)发射极耦合逻辑 (ECL)是一种或非门，只要有一个输入为高电平，输出则为低电平。这种电路速度较慢，负载能力和抗干扰能力较差。是一种与非门，只要有一个输入为低电平，输出则为高电平，只有当所有的输入端都是高电平时，输出才为低电平。这种电路速度慢，但提高了负载能力和抗干扰能力。这种电路在速度和延迟功耗积方面有了进一步提高。这种电路中的器件只工作在截止区和线性区，不进入饱和区，它具有速度快，逻辑功能强、扇出能力大、抗辐射性能好等优点。三、双极模拟集成电路一般分为：1. 线性电路（输入与输出呈线性关系） 运算放大器、直流放大器、音频放大器、中频放大器、宽带放大器、功率放大器、稳压器等2. 非线性电路： 对数放大器、电压比较器、调制/解调器、各种信号发生器等3. 接口电路：如A/D、D/A、各种驱动、读出放大电路等. 为了以较低成本获得所需要的电路功能, 在设计中有一些明显不同于分立元件电路之处,如在元件的选择上,宁可多用晶体管而尽量少用无源元件.3.3 MOS集成电路基础一、集成电路中的MOSFET按沟道的导电类型分：PMOS、NMOS、CMOS按栅材料分：硅栅和铝栅。NMOS还可分成：E/E MOS和E/D MOSDMOS和VMOS新结构从工艺分：P阱工艺、N阱工艺或者双阱工艺基本电路结构：MOS器件结构N沟道增强型MOSFET基本电路结构：CMOS基本电路结构：CMOS CMOS集成电路已成为整个半导体集成电路的主流技术，目前市场占有率超过95%。 CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电路形式，为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分别形成n型和p型区域，并在n型区域上制作pMOSFET，在p型区域上制作nMOSFET。如果选用n型衬底，则可在衬底上直接制作pMOSFET，但对于nMOSFET必须在硅衬底上形成p型扩散区（常称为p阱）以满足制备nMOSFET的需要。深亚微米CMOS晶体管结构STI(Shallow Trench Isolation)（浅沟道绝缘）二、MOS数字集成电路1 . MOS开关(以增强型NMOS为例)一个MOS管可以作为一个开关使用，电路中Cl是其负载电容。当Vg=‘0’时，T截止，相当于开关断开。当Vg=‘1’时，T导通，相当于开关合上。NMOS管开关ViVg-Vt时：输入端