附录B多层瓷介电容器内电极和端电极材料选用可靠性问题200912147P.pdfVIP

多层瓷介电容器内电极和端电极材料选用可靠性问题 季海潮 2009.12.14 内外电极是多层瓷介电容器的重要组成部分。内电极主要是用来贮存电荷，其有效 面积的大小和电极层的连续性与材料特性是影响电容的质量。外电极主要是将相互平行 的各层内电极并联，并使之与外围线路相连接的作用。片式电容器的外电极就是芯片端 头。 用来制造内外电极的材料一般都是金属材料。 1 内电极材料 1.1 内电极种类 片式电容的内电极是通过印刷而成。因此，内电极材料在烧结前是以具有流动性的 金属或金属合金的浆料的形式存在，故叫内电极浆料。由于片式多层瓷介电容器采用 BaTiO3( 钛酸钡 ) 系列陶瓷作介质， 此系列陶瓷材料一般都在 950℃～ 1300℃左右烧成；故 内电极也一般选用高熔点的贵金属 Pt( 铂) 、Pd(钯 ) 、Au( 金) 等材料 ( 金屬的熔点详见表 1) ，要求能够在 1400℃左右高温下烧结而不致发生氧化、熔化、挥发、流失等现象。 表 1 几种金属的熔点 金属 Al( 铝 ) Ag( 银 ) Au( 金 ) Cu( 铜 ) Ag/Pd Ni( 镍 ) Pd( 钯) Pt( 铂 ) 熔点 ( ℃) 658 960 1063 1083 1220 1445 1549 1773 目前，常用的浆料有 Ni( 镍) 、Ag/Pd( 钯银合金 ) 、纯 Pd(钯) 的浆料， Ag/Pd、纯 Pd 均为贵重金属材料，价格昂贵。纯 Ag( 银) 的内电极因烧结温度偏低，制造的产品可靠性 相对较差，因此现在一般很少使用。针对银的低熔点和高温不稳定性，一般用金属 Pd 和 Ag 的合金来提高内电极的熔点和用 Pd?来抑制 Ag 的流动性。 目前常用的内浆中 Pd与 Ag 的比例有 3/7 ，6/4 ，7/3 （注：式中分子为金属 Pd，分母为金属 Ag），纯 Pd 的内电 极因价格昂贵也很少使用。 其中含 Pd愈高，多层瓷介电容器质量愈稳定， 长期以来各国 航天型号使用的多层瓷介电容器的内浆 Pd与 Ag 的比例一般为 3/7 。 对于片式多层瓷介电容器而言， 其内电极成本占到电容器的 30%～80%，从而采用廉 价的贱金属作为内电极，是降低独石电容器成本的有效措施，同时满足了当今日益苛刻 的环保要求。因此，在日本和其他一些国家，早在 60 年代开始研制开发以贱金属 ( 镍、 铜) 为内外电极的电子浆料。 目前用 Ni 作内电极，Cu 作外电极的工艺已趋于成熟。 这样， 高烧且用贱金属可降低成本， 使得镍内电极片式电容器目前在世界上具有很强的竞争力， 并在工业和民用产品上逐步得到应用。 日本已将 Ni 电极产品投入到大生产中， 并已投放 市场，并有温度补偿独石电容器是用 Cu作内电极的批量生产。 1.2 镍内电极特点 1.2.1 镍内电极优点 金属镍作为内电极是一种非常理想的贱金属，而具有较好的高温性能，其作为电极 的特点： a) Ni 原子或原子团的电子迁移速度较 Ag?和 Pd/Ag 都小。 b) 机械强度高。 c) 电极的浸润性和耐焊接热性能好。 d) 介质层厚薄。 e) 价格低廉，俗称贱金属。 多层瓷介电容器采用内镍电极，与相同规格 ( 容量、直流工作电压 ) 的钯银内电极相 比较，其外形尺寸可以大为缩小，故有了薄介质、高层数、小体积、大容量多层瓷介电 容器产品及被广泛应用。 1.2.2 镍内电极弱点 a) 镍在高温下易氧化成氧化亚镍， 从而不能保证内电极层的质量。