场效应MOS管AK30NP07S参数+6.5A-7A+-30V封装SOP-8.pdf免费

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2021-09-14 发布于广东
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场效应MOS管AK30NP07S参数+6.5A-7A+-30V封装SOP-8.pdf

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AK30NP07S N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The AK30NP07S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel ● N-Channel V = 30V,I =6.5A DS D Schematic diagram RDS(ON) 24mΩ @ VGS=10V RDS(ON) 37mΩ @ VGS=4.5V ● P-Channel V = -30V,I = -7A DS D RDS(ON) 32mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) 70mΩ @ VGS=-4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity AK30NP07S AK30NP07S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) A Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V GateSource Voltage VGS ±20 ±20 V T =25℃ 6.5 -7 A Continuous Drain Current ID