场效应MOS管AK20P09S参数-9A-20V封装SOP-8.pdf免费

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2021-09-14 发布于广东
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AK20P09S AK P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The AK20P09S uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S1 S2 load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features ● V = -20V,I = -9A DS D RDS(ON) 28mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) 40mΩ @ VGS=-2.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface Mount Package Application ● Motor drive ● Load switch ● Power management Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity AK20P09 AK20P09S SOP-8 Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) A Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous ID -9