场效应MOS管AK30ND09S参数9A30V封装SOP-8.pdf免费

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2021-09-14 发布于广东
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AK30ND09S AK N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The AK30ND09S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● V =30V,I =9A DS D RDS(ON) 12mΩ @ VGS=10V RDS(ON) 17mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 30ND09S AK30ND09S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) A Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 9 A Drain Current-Continuous(T =100℃) I (100℃) 6.4 A C D Pulsed Drain Current IDM 40 A Maximum Power Dissip