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第一篇 习题 半导体中的电子状态 、 什么叫本征激发？温度越高， 本征激发的载流子越多， 为什么？试定性说明之； 、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的缘由； 、 试指出空穴的主要特点； |精. |品. |可. |编. |辑. |学. |习. |资. 、简述 Ge、Si 和 GaAS 的能带结构的主要特点； 、某一维晶体的电子能带为 |料. * | E(k) E0 1 0.1 cos(ka) 0.3 sin( ka) * 其中 E =3eV，晶格常数 a=5х10-11m；求： | * | * | |欢. |迎. |下. |载. 0 （1） 能带宽度； （ 2） 能带底和能带顶的有效质量； 第一篇 题解 半导体中的电子状态 、 解：在肯定温度下，价带电子获得足够的能量（≥ Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发；其结果是在半导体中显现成对的电子 -空穴对； 假如温度上升， 就禁带宽度变窄， 跃迁所需的能量变小， 将会有更多的电子被激发到导带中； 、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带， 即允带和禁带； 温度上升，就电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变 宽，就导致允带与允带之间的禁带相对变窄；反之，温度降低，将导致禁 带变宽； 因此， Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数； 、 解： 空穴是未被电子占据的空量子态，