4N60A-220-263-252-251中文规格书广东奥科半导体.pdf免费

N-CHANNEL MOSFET 4N60A 4A 600V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 4A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 600V RDSON-typ(@VGS =10V) 2.1Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263, TO-252, TO-251 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 AK4N60A1 TO-220AB 4N60AT 50PCS每管 AK4N60A2 TO-220F(0.5mm) 4N60AF 50PCS每管 AK4N60A3 TO-263 4N60AS 50PCS每管 AK4N60A3-R TO-263 4N60AS 800PCS每盘 AK4N60A4 TO-251 4N60AMJ 75PCS每管 AK4N60A5-R TO-252 4N60AD 2500PCS每盘 1 / 7 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 4N60A 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参数名称 符号 单位 220AB/263 220F 251/252 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续（T =25°C ） 4 C ID