8N65A-220-263-252-251中文规格书广东奥科半导体.pdf免费

N-CHANNEL MOSFET 8N65A 8A 650V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 8A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 650V RDSON-typ(@VGS =10V) 0.92Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263, TO-252, TO-251 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 AK8N65A1 TO-220AB 8N65AT 50PCS每管 AK8N65A2 TO-220F(0.5mm) 8N65AF 50PCS每管 AK8N65A3 TO-263 8N65AS 50PCS每管 AK8N65A3-R TO-263 8N65AS 800PCS每盘 AK8N65A4 TO-251 8N65AMJ 75PCS每管 AK8N65A5-R TO-252 8N65AD 2500PCS每盘 1 / 7 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 8N65A 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参数名称 符号 单位 220AB/263 220F 252/251 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续 ID 8 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM 32