电子技术基础课后思考与问题解答.pdf

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《电子技术基础》节后思考与问题解答 第1章 节后思考与问题解析 1.1 思考与问题解答: 1、什么是本征激发?什么是复合?少数载流子和多数载流子是如何产生的? 答:由于温度升高、光照作用等原因,使本征半导体中的价电子挣脱共价键的束缚游 离到晶体中成为自由电子的现象称为本征激发,同样原因使价电子跳进相邻空穴的填补 运动称为复合。在本征半导体中掺入五价杂质元素后,自由电子数量浓度大大于空穴载 流子数量而成为多了;掺入三价杂质元素后,空穴载流子浓度大大于自由电子载流子数 量而成为多子。 2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别? 答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中有自由电子和空穴两 种载流子同时参与导电,这是它们导电机理上的本质区别。 3、什么是本征半导体?什么是N型半导体?什么是P型半导体? 答:经过提纯工艺后,使半导体材料成为具有共价键结构的单晶体,称为本征半导体。 在本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体,N型半导体中多子是自由电子, 少子是空穴,定域的离子带正电;本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体, P型半导体中多子是空穴,少子是自由电子,定域的离子带负电。 4、由于N型半导体中多数载流子是电子,因此说这种半导体是带负电的。这种说法 正确吗?为什么? 答:无论多子是自由电子或是空穴,只是载流子的数量不同,对于失电子的原子来讲, 成为正离子,对于得电子的原子来讲,成为负离子。但是,整块半导体晶体中的正、负 电荷数并没有发生变化,所以半导体本身呈电中性。 5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。这两种击穿能否造成PN结的永久损坏? 答:雪崩击穿是碰撞式的击穿,通常在强电场下发生;齐纳击穿是场效应式的击穿, 这两种击穿都属于电击穿,电击穿可逆,通常不会造成PN结的永久损坏。 6、何谓扩散电流?何谓漂移电流?何谓PN 结的正向偏置和反向偏置? PN结具有 哪种显著特性? 答:PN 结正向偏置时通过的多子形成的电流称为扩散电流,PN 结反向偏置时出现 的少子形成的电流叫做漂移电流。P 区加电源正极、N 区接电源负极为正向偏置,反之 为反向偏置。PN结的显著特性是单向导电性。 1.2 思考与问题 1、何谓死区电压?硅管和锗管死区电压的典型值各为多少?为何会出现死区电压? 1 答:当外加的正向电压的电场不足于克服 PN 结内电场时,此时的正向电压值为死 区电压。硅管的死区电压典型值是0.5V,锗管的死区电压典型值是0.1V。 2、为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性?当环境温度升高时又会明显增大? 答:二极管的反向电流是由少子构成的,而少子是受本征激发和复合产生的。在温 度不变时,少子的数量基本不变,具有饱和性。当环境温度升高时,本征激发和复合运 动加剧,少子的数量随温度升高而增加很多,造成反向电流增大。 3、把一个1.5V的干电池直接正向连接到二极管的两端,会出现什么问题? 答:把一个1.5V的干电池直接正向连接到二极管的两端,因二极管的正向管压降小 于 1.5V,所以会使正向电流进一步增大,二极管易过热损坏。所以当正向电压大于二极 管管压降时,一定要要电路中串接一个限流分压电阻。 4、二极管的伏安特性曲线上可分为几个区?能否说明二极管工作在各个区时的电 压、电流情况? 答:二极管的伏安特性曲线上分死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个 区域。死区时由于正向电压不足以克服PN 结的内电场作用,所以正向电流基本为零; 正向导通区的电压值等于二极管导通压降值,电流为扩散电流,即正向导通电流;反向 截止区,反向电压只要不超过 U ,反向电流基本可视为零;反向击穿区的反向电压值 RM 超过U ,因此反向电流突然骤增,二极管被击穿。 RM 5、半导体二极管工作在反向击穿区,是否一定被损坏?为什么? 答:半导体二极管工作在反向击穿区时,如果属于齐纳击穿或雪崩击穿的电击穿, 二极管不会损坏,但持续增大的结温使电击穿变成了热击穿时,二极管将永久损坏。 6、理想二极管电路如图 1.16 所示。已知输入电压 u=10sinωtV,试画出输出电压

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180****2153
该用户很懒,什么也没介绍

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