电子技术基础课程习题集.pdf

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精品文档 《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院 版权所有 习题 【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为08001)共有单选题,简答题,计算 题 1,作图题 1,作图题 2,计算题 2,分析题,化简题等多种试题类型,其中,本 习题集中有[计算题 2,作图题 2]等试题类型未进入。 一、单选题 1. 测得 NPN 三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V,U =0.5V,U =3V,该三极管处在( ) B E C 状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2. 二极管的主要特性是( )。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3. 在 N 型半导体中( )。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4. 三极管的两个 PN 结都正偏,则晶体三极管的状态是( )。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5. 工作在放大状态的某三极管,当输入电流I =10μA 时,I =1mA;而 I =20μA 时,I =1.8mA, B C B C 则该三极管的交流电流放大系数为( )。 A.50 B.80 C.100 D.180 6. 稳压管的稳压是其工作在( )。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为 0V -10V 和-9.3V,则该管为 ( )。 A.NPN 硅管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.PNP 锗管 8. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9. 测得 NPN 型硅三极管三个电极电位分别为:U =2.8V,U =2.1V,U =3.6V,则该管处于 B E C ( )状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 . 精品文档 10. P 型半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入( )。 A. 自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12. 三极管工作在放大区的条件是( )。 A.发射结正偏,集电结正偏 B.发射结反偏,集电结正偏 C.发射结正偏,集电结反偏 D.发射结反偏,集电结反偏 13. 下列关于半导体的说法正确的是( )。 A.P 型半导体带正电,N 型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的 14. PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变

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180****2153
该用户很懒,什么也没介绍

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