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— PAGE \* Arabic 1 — 3.减反射技术和减反射原理 第3章 减反射原理和减反射技术  3.1 硅材料的光学特性  在光学中：  当光波从一种介质传到另一种介质时，在两种介质的分界面上将发生反射、折射现象。反射光按反射定律反回原介质，折射光按折射定律进入另一介质。   折射定律：光在入射介质中的传播速度与折射介质中的传播速度之比，等于入射角正弦与折射角正弦之比。v1/v2=sini/sinr=n  当两种介质一定时，n 为一常数，称为折射介质相对入射介质的相对折射率。如果入射介质为真空或空气，n 值则为折射介质的绝对折射率。  由折射定律可知：介质的折射率值与光波在该介质中的传播速度成反比。界面两边折射率较大的介质称为光密介质，折射率较小的介质称为光蔬介质。 光由光密质向光疏质传播，当折射角等于90度时，入射角就是光疏质的“临界角”。如果人射角稍大于临界角，入射光就全部反射回原来的密介质中。这种现象称之为全反射   晶体硅材料的光学特性，是决定晶体硅太阳电池极限效率的关键因素，也是太阳电池制造工艺设计的依据。  3.1.1 光在硅片上的反射、折射和透射  照射到硅片表面的光遵守光的反射、折射定律。如图 3.1所示，表面平整的硅片放  置在空气中，有一束强度为0I 的光照射前表面时，将在入射点O 发生反射和折射。以0  I 表示反射光强度，1I 表示折射光强度。这时入射角φ等于反射角r ，并且  n n v c v c v v  sin sin ===φφ （3-1）     图3-2 光在半导体薄片上的反射、折射和透射 图3-3 计算表面反射的二维模型  Fig 3-2 Light reflection, infraction and Fig 3-3 2D model for surface reflection  transition on semiconductor sheet. calculate.  式中φ为入射光进入硅中的折射角，v 、v 分别为空气及硅中的光速，n 、n 分别为空气  及硅的折射率，c 为真空中的光速。任何媒质的折射率都等于真空中的光速与该媒质中的光速之比。  1I 在硅片内的另一个表面以角度φ发生入射及反射，反射光强度以1  I 表示，强度为2I 的光在o 点沿与法线N N 成φ角度的方向透射出后表面。  定义反射光强度0  I 与入射光强度0I 之比为反射率，以R 表示；透射光强度2I 与入射光强度0I 之比为透射率，以T 表示。当介质材料对光没有吸收时，1=+R T 。半导体材料对光有吸收作用，因此，还要考虑材料对光的吸收率。  光垂直入射到硅片表面时，反射率可以表示为：  2102  1000)()(n n n n I I R +-== （3-2）  当入射角为φ时，折射角为φ，则反射率可以表示为：  }()()(sin )(sin {212200φφφφφφφφ+-++-==tg tg I I R （3-3） 一般说来，折射率大的材料，其反射率也较大。太阳电池用的半导体材料的折射率、反射率都较大，因此在制作太阳电池时，往往都要使用减反射膜、几何陷光结构等减反射措施。  应当注意，材料的折射率与入射光的波长密切相关，表3-1 为硅和砷化镓的折射率与光波长的关系。  [1]    3.2 减反射技术和减反射原理  3.2.1陷光结构和绒面  在光伏技术中，所谓陷光结构包括表面减反射结构、太阳电池体内光路增长结构，太阳电池组件封装结构内的光路增长结构。  绒面的反射控制理论认为，表面结构对反射率的影响取决于结构尺寸与入射光波长之间的关系。Campbell发展的讨论中考虑了表面形貌三种不同的尺度范围：（i）宏观；（ii）微观；和（iii）中间情况。  在宏观尺度范围，表面形貌尺寸比光波长大。光干涉效应可以忽略不计，而光路通常近似地用这些表面形貌与光之间的相互作用来描述。这些表面形貌的几何性质可以用来驾驭光的反射或折射方向，使其控制在期望的方向上。  在微观尺度范围，形貌尺寸比光波长更小，即小于0.1μm。这种形貌可以用‘逐级折射率’方法处理，这里真实表面的剖面用一系列层来近似描述，每层由不同的两种介质组成。这种形貌尺寸在捕获光线方面不是特别有效，其作用就象在平面上涂覆逐层改变折射率的涂层一样。  对于中间尺度