沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备发明专利.pdfVIP

  • 28
  • 0
  • 约1.55万字
  • 约 14页
  • 2021-09-16 发布于浙江
  • 举报

沟槽型MOS场效应晶体管及方法、电子设备发明专利.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447846 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 201910836176.3 (22)申请日 2019.09.05 (71)申请人 比亚迪半导体股份有限公司 地址 518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌 街道延安路1号 (72)发明人 刘东庆  (74)专利代理机构 深圳众鼎专利商标代理事务 所(普通合伙) 44325 代理人 姚章国 (51)Int.Cl. H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) 权利

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档