电子技术教案5.pptx

常用半导体器件;5.1 PN结及其单向导电性;本章学习目标;5.1 PN结及其单向导电性;1. 本征半导体;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。;在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。;本征半导体的导电机理;2. 杂质半导体;;2）P型半导体;归纳;杂质半导体的示意表示法;5.1.2 PN 结的形成;;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。;;; 1） PN结加正向电压时的导电情况; 2. PN结加反向电压时的导电情况 ;?空间电荷区中没有载流子。;5.1.3 PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置;PN结的单向导电性;5.2 半导体二极管;半导体二极管;半导体二极管;半导体二极管;5.2.2 伏安特性;5.2.3 主要参数;1. 理想二极管;2.二极管的应用;;电路如图示：已知 VA=3V VB=0V 求：VF=？;5.3 稳压二极管;3.主要参数;4.稳压管与二极管的主要区别; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。;已知图示电路中，UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA，负载电阻RL=600 Ω，求限流电阻R的取值范围。;5. 4 半导体三极管;基区：较薄，掺杂浓度低;B;1. 放大状态;进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。;从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。;IC与IB之比称为电流放大倍数;;2. 饱和状态;5.3.4 三极管的特性曲线;死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V;;;IC(mA );;;5.4.4 主要参数;2.集-射极反向截止电流ICEO;3.集电极最大电流ICM;5.集-射极反向击穿电压;IC;5.5 绝缘栅型场效应管;5.5.1 基本结构和工作原理;N沟道耗尽型;G;P沟道耗尽型;2. MOS管的工作原理;;;;5.5.2 增强型N沟道MOS管的特性曲线;当栅源间电压UGS ? UTH 并保持一定值时，漏极电流ID与漏源极电压U DS的关系曲线;?耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线; P沟道绝缘栅场效应管的工作原理和特性与N沟道场效应管完全相同，两者只是在工作时所加电压的极性不同，当然，产生电流的方向也不同。;5.6 光电器件;注意：光电二极管工作在反向状态！;注意：光电三极管工作时，发射结正偏，集电结反偏！;特点：输入输出电气隔离，抗干扰能力强； 传输信号失真小，工作稳定可靠。;END