超结MOS管AKP0109AR参数9A100V封装SOT-223.pdf

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2021-09-17 发布于广东
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AKP0109AR AK N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The AKP0109AR uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for high-frequency DS(ON) g switching and synchronous rectification. General Features ●V = 100V,I = 9A DS D Schematic diagram RDS(ON) 27mΩ @ VGS=10V (Typ:21mΩ) RDS(ON) 37mΩ @ VGS=4.5V (Typ:30mΩ) ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application ● Power switching application ●Hard switched and high frequency circuits ●Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity AKP0109AR AKP0109AR SOT-223-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted) A Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 9 A Drain Cu