模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权).pdfVIP

第 2 章 半导体三极管及其基本放大电路 一、填空题 2 ．1 BJT用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱 和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。 2 ．2 温度升高时， BJT 的电流放大系数 ，反向饱和电流 ICBO ， 发射结电压 U BE 。 2 ．3 用两个放大电路 A 和 B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， U U ；都接人负载 R 电阻时，测得 U U ，由此说明，电路 A 的输出电阻比电 OA OB L OA OB 路 B 的输出电阻 。 2 ．4 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选 用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。 2 ．5 FET是通过改变 来改变漏极电流 (输出电流 ) 的，所以它是一个 器件。 2 ．6 FET工作在可变电阻区时， iD 与 uDS 基本上是 关系，所以在这个区域中， FET的 d 、s 极间可以看成一个由 uGS 控制的 。 2 ．7 FET的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅 极电阻 R 一般阻值很大，这是为了 。 S 二、选择正确答案填写 (只需选填英文字母 ) 2 ．8 BJT能起放大作用的内部条件通常是： (1)发射区掺杂浓度 (a ．高， b ．低， 1 1 1 2 2 2 c ．一般 )；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a ．高， b ．低， c ．相同 )，基区宽度 (a ．高， b ．窄，c ．一般 )；集电结面积比发射结面积 (a ．大， b ．小，c ．相等 ) 。 3 3 3 4 4 4 B C B C 2 ．9 测得 BJT I =30 μA 时， I = mA ；I =40 μA 时， I =3 mA，则该管的交流电流放大系 数 为 (a ．80 ，b ．60 ，c ．75)。 2 ．10 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个 BJT 的类型 (指 NPN 型还是 PNP 型)与三个电极时，以测出 最为方便 (a ．各极间电阻， b ．各极对地电位， c．各极电流 )。 2 ．11 既能放大电压，也能放大电流的是 组态放大电路；可以放大电压，但 不能放大电流的是 组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是 组态放大电路 (a．共射， b．共集， c．共基 )。 2 ．12 某 FET的 IDSS为 6 mA，而 IDQ 自漏极流出， 大小为 8 mA，则该管是