磁电阻测量实验报告南京大学.pdfVIP

南京大学物理系实验报告 题目 实验 各向异性磁电阻测量 姓名 朱瑛莺 2014 年 5 月 16 日 学号 摘要 通过对磁性合金的各向异性磁电阻的测量，初步了解磁电阻的一些特性，同时掌握 室温磁电阻的测量方法。 关键词 ：磁电阻，外磁场，磁滞，热效应 一、引言 材料的电阻率随着外加磁场的不同而改变的现象就是磁电阻效应。我们把磁场引起 的电阻率变化写成 其中 (H) 和 (0) 分别表示在磁场 H 中和没有磁场时的电阻率。 磁电阻的大小常表示 为： 其中 可以是 (H) 或 (0) ，电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关， 即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻（ AMR）。 此后人们陆续发现了， MR很大的巨磁电阻（ GMR）效应和庞磁电阻（ CMR）效应，以 及隧道结磁电阻（ TMR） 二、实验目的 (1) 初步了解磁性合金的 AMR，多层膜的 GMR，掺碱土金属稀土锰氧化物的 CMR； (2) 初步掌握室温磁电阻的测量方法。 三、实验原理 材料的磁电阻和其在磁场中的磁化方向有关，即磁阻值是其磁化方向与电流方向之 间夹角的函数。外加磁场方向与电流方向的夹角不同，饱和磁化时电阻率不一样，通常 取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量 AMR。即有： 若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽 略，通常取： 对于大多数材料 (0) ，故： 如果 0 av ，则说明该样品在退磁状态下有磁畴结构， 即磁畴分布非完全各项同性。 81 19 图-1 是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的 Ni Fe 的磁电阻曲线 , 各向异性明显。 图中的双峰是材料的磁滞引起的。 图-2 是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。 实验仪器 亥姆霍兹线圈、大功率恒流电源、大功率扫描电源、精密恒流源、数字万用表等。 实验注意事项 1、亥姆霍兹线圈中通的电流比较大，因而不能长时间让线圈工作在强电流下，以免烧毁 线圈。所以读数时间需要控制，取样点不宜过多； 2、实验结束时要将各个电源归零，关闭数字万用表。 3、在记录过程中，在样品电压变化缓慢的区域，线圈电流可以变化的快一些，在样品电 压变化快的区域，线圈电流要缓慢变化。每组取样点控制在 60 个左右。 4 、有时数据有明显跳动，这样的点不能选取，需要寻找下一个读数稳定的点； 四、实验内容 方法 （1）将样品切成窄条，这在测 AMR时是必需的。对磁性合金薄膜，饱和磁化时，样品电 阻率有如下关系 : 其中 是磁场方向与电流方向的夹角。为保证电流有一确定方向，常用的方法是： 1、将样品刻成细线，使薄膜样品的宽度远远小于长度。 2、用平行电极，当电极间距远小于电极长度时，忽略电极端效应，认为两电极间的 电流线是平行的。 （2）用非共线四探针法测电阻值 如图 -3 所示。这种方法当数字微伏表内阻很大时，可以忽略探针接触电阻的影响， 已在半导体、铁氧体、超导体等的电测量中广泛使用。 测量 1. 测量 Fe Ni 薄膜的 AMR 图-3 a. 将大功率恒流源与亥姆霍兹线 圈连接。 b. 将样品装上四探针夹具，并作如图 -3 所示连接。 c. 将装好样品的夹具固定在亥姆霍兹线圈中心，并确保电流方向与磁场方向平行。 d. 将毫特斯拉