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第三章 双极结型晶体管
填空题
1、晶体管的基区输运系数是指( 基区中到达集电结的少子 )电流与( 发射结注
入基区的少子 )电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生( 扩
散 ),从而使基区输运系数 ( 变大 )。为了提高基区输运系数,
应当使基区宽度( 小于 )基区少子扩散长度。
2、晶体管中的少子在渡越( )的过程中会发生( ),从而使到
达集电结的少子比从发射结注入基区的少子( )。
3、晶体管的注入效率是指
( )电流与
( )电流之比。为了提高注入效率,应当使( )区
掺杂浓度远大于( )区掺杂浓度。
4 、晶体管的共基极直流短路电流放大系数 α 是指发射结( 正 )偏、集电结
( 零 )偏时的 ( 集电结 )电流与 ( 发射结 )电流之比。
5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数 β 是指( 发射 )结正偏、
( 集电 )结零偏时的( 集电结 )电流与( 基区 )电流之
比。
6、在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当( )基
区宽度,( )基区掺杂浓度。
7、某长方形薄层材料的方块电阻为 100Ω,长度和宽度分别为 300 μm和 60 μm,
若要获得 1k Ω 的电阻,则该材料的长度应改变为( 600 μm )。
8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个( ),它对少子在基
区中的运动起到( )的作用,使少子的基区渡越时间( )。
9、小电流时 α 会( )。这是由于小电流时,发射极电流中
( )的比例增大,使注入效率
下降。
10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高
( ),反而会使其( )。造成发射区重掺杂效应的原因
是( )和( )。
11、在异质结双极晶体管中,发射区的禁带宽度( )于基区的禁带宽度,从
而使异质结双极晶体管的( )大于同质结双极晶体管的。
12、当晶体管处于放大区时,理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而
( )。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而( ),这称
为( )效应。
13、当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会( ),使基区宽度
( ),从而使集电极电流( ),这就是基区宽度调变效应(即厄
尔利效应)。
14、I ES是指( 集电
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