集成电路工艺之光刻与刻蚀工艺.pptVIP

Chap 8 lithography;图形曝光与刻蚀; 刻蚀 由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为了产生电路图形，这些抗蚀剂图案必须再次转移至下层的器件层上。 这种图案转移（pattern transfer）是利用腐蚀（etching）工艺，选择性地将未被抗蚀剂掩蔽的区域去除。;ULSI对光刻有哪些基本要求？;ULSI对光刻有哪些基本要求？;Chap 8 lithography;洁净室（1）;洁净室（2）;洁净室（3）;洁净室（4）;Chap 8 lithography;光刻原理（1）;光刻胶图形转移到硅表面的薄膜 在集成电路制作中，利用这层剩余的光刻胶图形作为保护膜，可以对硅表面没有被光刻胶覆盖的区域进行刻蚀，或者对这些区域进行离子注入，从而把光刻胶上的图形转移到硅表面的薄膜上去，由此形成各种器件和电路的结构，或者对未保护区进行掺杂。 ;光刻原理（3）;Resist coat (wafer track);光刻工艺过程;1、涂胶;1、涂胶;可以开始涂胶了……;涂胶-----转速Vs膜厚;2、前烘（softbake）－－再次改善光刻胶粘附性;2、前烘（softbake）－－再次改善光刻胶粘附性;3、曝光（Exposure）;3、曝光（Exposure）;曝光后烘焙（PEB）;4、显影（Development）;4、显影（Develop