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第6章 存储器;6.1 半导体存储器的性能特点和分类;6.1.1.半导体存储器的分类;1．按制造工艺分类;2．按存取方式分类;说明;6.1.2 半导体存储器的主要性能指标;主要性能指标;6.1.3 半导体存储芯片的组成;半导体存储芯片的组成; R/W;6.2 随机存取存储器;6.2.1 静态RAM;T3、T4是负载管，T1、T2为工作管， T5、T6、 T7、T8是控制管。 该电路有两种稳定状态：T1截止，T2导通为状态“1”；T2截止，T1导通为状态“0”。;;3．典型SRAM芯片; WE;6.2.2 动态RAM;读出再生 放大器;2．DRAM的特点;符号 ;Dout;6.2.3 PC机内存条;PC机内存条;6.3 只读存储器;6.3.1 EPROM;字选线;2．编程和擦除过程;;（1）芯片特性;（2）工作方式;6.3.2 E2PROM;1．芯片特性（8K×8的2864A ）;2．工作方式;6.3.3 快速擦写存储器;1．闪存的特点;2．闪存的应用;6.4 半导体存储器接口技术;6.4.1 存储器与CPU接口的一般问题;;2．存储器与CPU之间的时序配合;3．存储芯片的选用和地??分配;6.4.2 存储器与地址总线的连接; ;例6-1; ;Y1;3．线选法;;6.4.3 存储器与控制总线、数据总线的连接;1．存储器与控制总线的连接;2．存储器与数据总线的连接;;例6-4;例6-5;6.5 高速缓冲存储器;6.5.1 Cache系统基本结构与原理;6.5.2 地址映像方式;1．全相联映像方式;第0页;2．直接映像方式;第0页; ;6.5.3 替换算法;6.5.4 CACHE的读写过程;6.6 虚拟存储器;6.6.1 页式虚拟存储器;6.6.2 段式虚拟存储器;6.6.3 段页式虚拟存储器