第3章电子技术基础_模拟部分.pptxVIP

3 半导体三极管及放大电路基础;3.1 BJT;3.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过内部载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;2. 电流分配关系;;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;3.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。; (1) 共发射极直流电流放大系数 =IC / IB （hFE）;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ; 3. 极限参数;(2) 集电极最大允许电流ICM;3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;3.2 基本共射极放大电路;3.2.1 基本共射极放大电路的组成;;;3.3 放大电路的分析方法;;;? 在输出特性曲线上，作出直流负载线 vCE=VCC－iCRc，与IBQ曲 线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;? 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;? 根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形;2. 动态工作情况的图解分析;3. 静态工作点对波形失真的影响;饱和失真的波形 （Q点过高）;4. 图解分析法的适用范围;3.3.2 小信号模型分析法;1. BJT的H参数及小信号模型;输出端交流短路时的输入电阻；;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;3.3.2 小信号模型分析法;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;3. 小信号模型分析法的适用范围;共射极放大电路;;例题;3.4 放大电路静态工作点的稳定问题;3.4.1 温度对静态工作点的影响;;b点电位基本不变的条件：;1. 基极分压式射极偏置电路;②电压增益;②电压增益;③输入电阻;④输出电阻;2. 含有双电源的射极偏置电路;2. 含有双电源的射极偏置电路;3. 含有恒流源的射极偏置电路;3.5 共集电极放大电路和共基极放大电路;3.5.1 共集电极放大电路;;;3.5.1 共集电极放大电路;④输出电阻;;3.5.2 共基极放大电路;2.动态指标;② 输入电阻;3.5.3 放大电路三种组态的比较;2.三种组态的比较;3.三种组态的特点及用途;3.6 组合放大电路;3.6.1 共射-共基放大电路;3.6.1 共射-共基放大电路;3.6.1 共射-共基放大电路;;3.6.2 共集-共集放大电路;3.6.2 共集-共集放大电路;3.6.2 共集-共集放大电路;设：?1=?2=?=100，UBE1=UBE2=0.7 V。;解：（1）求静态工作点 ;;（2）求电压放大倍数;画微变等效电路：;电压增益：;（3）求输入电阻;*3.7 放大电路的频率响应;3.7.1 单时间常数RC电路的频率响应;最大误差 -3dB;2. RC高通电路的频率响应;3.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数;②简化模型;2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得;又因为;3. BJT的频率参数;;3.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;3.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;3.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;3.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;3.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;3.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;1. 高频响应;③增益-带宽积;例题;2. 低频响应;2. 低频响应;中频区(即通常内)源电压增益;2. 低频响应;2. 低频响应;3.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应;②高频响应;3.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应;;2. 多级放大电路的频率响应;*3.8 单级放大电路的瞬态响应;本章小结;4．三种组态。 （1）共射——AU较大，Ri、Ro