金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构.pptVIP

本章内容 §1、MOSFET的物理结构、工作原理和类型 §2、MOSFET的阈值电压 §3、MOSFET的直流特性 §4、MOSFET的动态特性 §5、小尺寸效应 1、MOSFET的物理结构 MOSFET由一个MOS电容和靠近MOS栅控区域的两个PN结组成。 NMOSFET的三维结构图 栅 氧化层 硅衬底 源区－沟道区－漏区 P-Si gate n+ n+ Source Drain w L body 金属 Al（Al 栅） 重掺杂的多晶硅（硅栅， Polycide（多晶硅/难融金属硅化物） MOSFET的三维结构简化图 剖面图 结构参数：沟道长度 L、沟道宽度 W 、栅氧化层厚度 源漏PN结结深 材料参数：衬底掺杂浓度 、载流子迁移率 版图 S D G W L 多晶硅 有源区 金属 SiO 2 SiO 2 Si 衬底 器件版图和结构参数 MOSFET是一个四端器件： 栅 G （Gate），电压VG 源 S （Source），电压VS 漏 D （Drain），电压VD 衬底 B （Body），电压VB 以源端为电压参考点，端电压定义为: 漏源电压 VDS=VD - VS 栅源电压 VGS=VG - VS 体源电压 VBS=VB - VS 端电压的定义 MOSFET正常工作时，D、B和S端所加的电压要保证两个PN结处于反偏。 在