绝缘栅双极型晶体管IGBT知识.pdfVIP

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IGBT MOSFET 绝缘栅双极型晶体管 IGBT 是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极 绝缘栅双极型晶体管 是由 和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极 MOSFET PNP MOS 为 MOSFET,输出极为 PNP 晶体管,因此,可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融 为 ,输出极为 晶体管,因此,可以把其看作是 输入的达林顿管。它融 MOSFET 和了这两种器件的优点,既具有 MOSFET 器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件 和了这两种器件的优点,既具有 器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件 容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 3 @6 w M! E6 {4 f 3 @6 w M! E6 {4 f IGBT 在中大功率的开关电源装置中,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量 在中大功率的开关电源装置中, 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量 GTO 较大的特点,已逐步取代晶闸管或 GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高 较大的特点,已逐步取代晶闸管或

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