半导体器件原理第六章.pptVIP

内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 第三十八页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.2.1 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 分析栅极和漏极同时加电压的情况： 由于漏端电压的作用，沟道中不同位置的电压不同，所以耗尽层的宽度随沟道中的位置而不同。 第三十九页，编辑于星期五：三点 四十分。 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 N沟pn JFET器件的基本几何结构图 栅极和漏极同时加上电压：耗尽层的宽度随在沟道中的位置不同而不同 第四十页，编辑于星期五：三点 四十分。 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 第四十一页，编辑于星期五：三点 四十分。 理论计算得到的ID-VD曲线 实验测得的ID-VD曲线 理想饱和漏电流与漏极电压无关 第四十二页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.2.3 跨导 跨导是场效应晶体管的一个重要参数，它表示栅极电压对漏极电流的控制能力。 跨导定义为漏源电压VDS一定时，漏极电流的微分增量与栅极电压的微分增量之比。 非饱和区 饱和区 第四十三页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.2.4 MESFET MESFET除了pn结被肖特基势垒整流接触结代替外，其他均与pn JFET相同。 MESFET通常用GaAs制造。 第四十四页，编辑于星期五：三点 四十分。 增强型JFET实验和理论的平方根与VGS的理想关系曲线 理想曲线和电压轴相交的一点值是阈值电压。 理想下的I-V关系是在假定pn结耗尽层突变近似的情况下推导出来的。 第四十五页，编辑于星期五：三点 四十分。 JFET和MOSFET的主要共同点和差异 JFET与MOSFET都是场效应晶体管，它们的主要共同点在于： （1）是多数载流子工作的器件，则不存在因为少数载流子所引起的一些问题（如温度稳定性较好）。 （2）输入阻抗都很高，并且都是电压驱动的器件，则工作时不需要输入电流，而且输入回路较为简单。 （3）转移特性都是抛物线关系，则不存在3次交扰调制噪声。? 第四十六页，编辑于星期五：三点 四十分。 JFET与MOSFET由于器件结构不同，特性存在差异： （1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。 （2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。 （3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。 （4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。 第四十七页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.3 非理想效应* 同其他器件一样，JFET存在使器件发生改变的非理想因素。 前面我们分析的是具有恒定沟道长度和恒定迁移率的理想晶体管，忽略了栅电流的影响。 当JFET处于饱和区时，有效的电场沟道长度是VDS的函数，这种非理性因素称为沟道长度调制效应。 此外，当晶体管处于饱和区及其附近时，沟道中的电场强度能变得足够大，使多数载流子达到饱和速率。迁移率不再是常数。栅电流的数量级将影响到输入阻抗。 第四十八页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.3.1 沟道长度调制效应 第四十九页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.3.2 饱和速度影响 硅中载流子的漂移速度随着电场强度的增加而达到饱和，这个饱和速度的影响表示迁移率不是一个常数。 对于短沟道JFET和MESFET，前面假设载流子的迁移率是常数就变的不可靠了。因为短沟道时，沟道内的电场已很大。迁移率不再是常数。 6.3 非理想效应 第五十页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.3 非理想效应 表明载流子速度和空间电荷宽度饱和效应的JFET剖面 第五十一页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.3 非理想效应 理想的ID-VDS曲线。 迁移率为常数时的情况→ 速度达到饱和时的情况→ 速度饱和时，I-V曲线变化→跨导发生变化（变小） →速度饱和时，晶体管的有效增益变小。 第五十二页，编辑于星期五：三点 四十分。 6.3 非理想效应 6.3.3 亚阈值特性和栅电流效应 亚阈值电流是JFET中当栅极电压低于夹断电压或阈值电压是的漏电流。 JFET工作于饱和区时，漏电流随栅源电压呈二次方程变化。 当VGS值低于阈值电压时，漏电流随栅源电压呈指数变化。 在阈值附近，突变耗尽近似不能精确描述沟道区。 第五十三页，编辑于星期五：三点 四十分。 N沟道MESFET栅极电压的三个区域中漏极电流随VGS变化的曲线 栅源电压约为0.5~1.0时，