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存储器原理介绍 第一页 目 录 ●半导体存储器分类和原理介绍 ●高速存储器的应用 ●其他存储类型简介 第二页 半导体存储器主要类别 第三页 EEPROM存储单元原理： 背景知识：量子隧道效应 经典物理学认为物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。 量子力学则认为即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有一些粒子能过去，好象有一个隧道，称作“量子隧道”。 1962年，英国剑桥大学实验物理学研究生约瑟夫森（Brian David Josephson，1940～）预言，当两个超导体之间设置一个绝缘薄层时，电子可以穿过绝缘体从一个超导体到达另一个超导体。约瑟夫森的这一预言不久就为P.W.安德森和J.M.罗厄耳的实验 观测所证实——电子对通过两块超导金属间的薄绝缘层（厚度约为10埃）时发生了隧道效应，于是称之为“约瑟夫森效应”。 宏观量子隧道效应确立了微电子器件进一步微型化的极限，当微电子器件进一步微型化时必须要考虑上述的量子效应。例如，在制造半导体集成电路时，当电路的尺寸接近电子波长时，电子就通过隧道效应而穿透绝缘层，使器件无法正常工作。因此，宏观量子隧道效应已成为微电子学、光电子学中的重要理论。 第四页 EEPROM存储单元原理： 0与1的读写： 以浮栅中是否存有电子来区分逻辑状态0和1（也会以电荷多少来区分多个逻辑状态比如00、01、10、11等）。 写：当漏极接地，控制栅加上足够高的电压时（大于正常工作电压），交叠区将产生一个很强的电场，在强电场的作用下，电子通过绝缘层到达浮栅，使浮栅带负电荷。 擦：反之，当控制栅接地漏极加一正电压，则产生与上述相反的过程，即浮栅放电。 读：注入浮栅的负电荷，排斥P型硅基层上的电子，抵消提供给控制栅的电压。也就是说，如果浮置栅中积累了电荷，则阈值电压（Vth）增高。与浮置栅中没有电荷时的情况相比，如果不给控制栅提供高电压，则漏极－源极间不会处于导通的状态。 每个存储单元类似一个标准MOSFET, 但有两个闸极。在顶部的是控制闸(Control Gate, CG)，如同其他MOS晶体管。但是它下方则是一个以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(Floating Gate, FG)。这个FG（多晶硅等）放在CG与MOSFET通道之间。由于这个FG在电气上是受绝缘层独立的, 所以进入的电子会被困在里面。在一般的条件下电荷经过多年都不会逸散。 第五页 EEPROM存储单元原理： 第六页 EEPROM 存储单元原理： 第七页 EEPROM 存储阵列： 第八页 EEPROM 芯片内部结构： 第九页 EEPROM ： 特点： ●可以随机访问和修改任何一个字节； ●具有较高的可靠性； ●电路复杂/单位容量成本高； ●容量小； 第十页 Flash Memory (flash erase EEPROM)： Flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。与EEPROM不同，flash擦除时不再以字节为单位，而是以块或页为单位，速度更快，所以被称为Flash erase EEPROM 。 任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。一般自带数据缓冲buffer。 Flash有Nor Flash和Nand Flash两种。 第十一页 Flash 存储单元： Flash存储单元由EEPROM过渡而来，核心依旧使用浮栅，但省去了一个控制管。Nor和Nand两种flash的存储单元排列形式不同。 NOR技术Flash Memory结构，每两个单元共用一个位线接触孔和一条源线线，采用CHE（沟道热电子）的写入和源极F—N擦除，具有高编程速度和高读取速度的优点。但其编程功耗过 大，在阵列布局上，接触孔占用了相当的空间，集成度不高。 NAND结构通过多位的直接串联，将每个单元的接触孔减小到1／2 n(n为每个模块中的位数，一般为8位或1 6位)，因此，大大缩小了单元尺寸。NAND采用编F—N写，沟道擦除，其最大缺点是多管串联，读取速读较其他阵列结构慢。 第十二页 Flash 存储结构： 第十三页 Flash 存储结构： Flash存储阵列的组成：page?block?plane?device 第十四页 Nor Flash与Nand Flash 比较： 性能：