电力电子技术课件：场控半导体.ppt

场控半导体 静电感应器件 在电极上加上负电压，电极附近的电子就会离开，在加了负偏压的区域附近没有电子的现象就是静电感应（Static Induction）效应。 下图是用结构成的静电感应晶体管的原理示意图，在左、右电极之间，通过电流，如在上面的电极上加上负电压，则附近的电子逃逸，因而在虚线A的范围内部不存在电子，这时仅从该区域的下方通过电流，因此减少了电流流通，用这种方法，可改变加在负载电阻RL两端的电压，即可以发生放大作用。上面电极所流过的电流只是静电电容器的放电电流。 实际上，如果在上面所装的控制电极（栅极）长度较长时，右端没有电子的区域（称为耗尽层）这时向外侧进一步扩大，如图虚线所示。随着外加在下面n型半导体两端电极上的偏压的不断增加，耗尽层最后在右端最终可横穿过n型半导体，达到下部。这样一来，对于从右向左流过的电流，电阻增大，该电阻被称为沟道电阻Rch。将其分开写，引入跨电导Gm： 式中Gm0可视为Rch为0时的值，当Rch的值很小， 时，则有： 相反，如果 ，则有： 通常被称为场效应晶体管（FET）的就属于后者，而前者就称为静电感应晶体管。FET视为利用静电感应效应改变沟道电阻的晶体管。 当沟道基本上被耗尽层横切而切断时（切断时的电压称为夹断电压：当 为某一固定值值，使电流 为微小电流，此时栅源之间所加的电压为夹断电压 ， ）。由于电流是从左方流入电子的，如果由于某种原因使电流增大，则沟道中的压降也会增大，即 增大， 增大，从而使沟道宽度变窄，沟道电阻Rch增加，于是流过沟道的电流减少。如果电流由于某种原因减少，在沟道中的压降也会减少， 也会减少，从而使沟道宽度变宽，使沟道电阻减少，于是沟道的电流增大，这是一种负反馈。正是由于沟道电阻的负反馈作用，电流可以基本稳定而无变化的继续流过。 1、静电感应晶体管 静电感应晶体管SIT（Static Induction transistor）分常通型和常断型两种。常通型SIT在栅偏压为零时，处于导通状态，栅电压加负偏压可以关断它的漏极电流；常断型SIT在栅偏压为零时，漏极电流被截断而处于断开状态，在栅源之间加正偏压时，便成导通状态，常断型SIT被称为双极模式SIT（BSIT）。下图是常通型n型SIT的结构剖面示意图，SIT的符号示于图。P型沟道和N型沟道的SIT的表示法和晶体管一样，箭头向外表示n型，这里主要介绍常通型的SIT。 剖面结构是一种使栅区P+隐埋于源漏之间的N+型半导体中，这种结构称为埋栅结构，SIT是利用漏极电压和门极电压的静电感应来调制沟道内部的电位分布和势垒高度，从而控制由源区注入的多子浓度。 由于没有来自栅极的载流子注入，因此能够以极高的速度工作，即高频特性和高速开关特性优异。由于沟道电阻非常小，可以忽略，源极电阻成了内阻的主要部分，因此电流具有负温度特性，不容易发生热击穿，无电流集中，耐压强度高。由于输入阻抗高，是电压驱动器件，驱动功率小。 非饱和电压和电流特性：由于沟道电阻极小，由它决定的负反馈量就小，所以输出电压和电流特性显示典型的指数函数特性。 常通型SIT的输出特性 如前所述，常通型SIT的输出特性是非饱和的电压电流特性，如图所示，负载电阻一经确定，就和一般的电路设计一样，画出负载线，把工作范围分为饱和区、截止区和线性工作区三部分。 开关工作方式使用SIT的场合，SIT工作在饱和区和截止区，线性放大方式使用的场合，SIT工作在线性工作区。开关工作方式的基本电路如图，当输入脉冲 时，SIT工作在饱和区，SIT处于导通状态，不加输入脉冲时，栅极电位为负，工作在截止区，为关断状态。线性工作方式的基本电路如图，只是和的数值取线性区中心附近的电压，大约分别为开关工作方式时的电压值的二分之一。 SIT应用注意事项 a.常通型SIT必须先加栅偏压,然后再加漏极电压。不加栅压时，源漏之间导通，如果这样加漏极电压的话，就会发生过流，从而损坏SIT。 b.栅源间电压VGS必须考虑到电压放大系数 ，且在栅源间耐压容许的范围内尽可能加大 ，以便充分截止漏极电流。电压放大系数一般规定为 时的值，但是，它随着VGS、VDS的大小而变化，电压增大时，电压放大系数增大。如果考虑开关工作时的峰值和尖峰电压等，就必须根据下面的公式 求出需外加的基准值。 c.为了减少开关损耗和提高开关频率，SIT导通时应加一个很小的正向偏置电压。 d.SIT是电压控制器件，开关工作特性好，但开关工作时常发生尖峰电压，所以必须采取保护措施，使尖峰电压不超过SIT的最大耐压。 2、静电感应晶闸管 大功率静电感应晶闸管SIThy（Stati