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第二章光纤通信参考答案 11?半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度，已知GdAs材料的 Es=1.43eV,某-InGaAsP材料的Ee=0. 96eV,求它们的发射波长。（eV是能量单 位，表示一个电子在1伏特电压差下所具有的能量） 解：血君Eg ? 8.688 x 10 m = 0.8688///?/° he 6.626 x 10亠（丿 s） x 3 x 108 ? 8.688 x 10 m = 0.8688///?/ A = 彩 IQ Eg 1.43xl.6xlO-|?J InGaAsP 材料,2壬 6626 汕厂、小）羽]294X10為=].294肿 Eg 0.96 x 1.6 xlO-|9 InGaAsP 材料, 12. 一半导体激光器，谐振腔长L=300 nm,工作物质的损耗系数Q二谐振 腔两端镜面的反射率RR二0. 33X0. 33,求激光器的阈值增益系统丫论若后镜面 的反射率提高到R产1，求阈值时的增益以及阈值电流的变化。 解：e 仇 Ya. =a +丄 In—!— = 1mm1 + In ! = 4.6955mm1 21 隔 2x300x10%】 0.33x0.33 R冃时， R冃时，N=a + #n 命= lmnL 阈值电流变小 + :———In 一:一 = 2.8478mm 2x3OOxlO“m 0.33x1 13. 一半导体激光器，阈值