半导体二极管.docVIP

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  • 2021-10-01 发布于辽宁
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第一章 半导体二极管 一、半导体得基础知识 1、半导体 --- 导电能力介于导体与绝缘体之间得物质 (如硅 Si、 锗 Ge) 。 2、特性 --- 光敏、热敏与掺杂特性。 3、本征半导体 纯净得具有单晶体结构得半导体。 4、 两种载流子 带有正、负电荷得可移动得空穴与电子 统称为载流子。 5、杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导 体。体现得就是半导体得掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量得三价元素 (多 子就是空穴 ,少子就是电子 ) 。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量得五价元素 (多子就是电子 ,少子就是空穴 ) 。 6、 杂质半导体得特性 * 载流子得浓度 ---多子浓度决定于杂质浓度 ,少子浓度与温 度有关。 *体电阻 ---通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻。 * 转型 --- 通过改变掺杂浓度 ,一种杂质半导体可以改型为另 外一种杂质半导体。 7、 PN 结 PN结得接触电位差---硅材料约为0、6?0、8V,锗材料 约为0、2?0、3V。 PN结得单向导电性---正偏导通,反偏截止。 PN结得伏安特性 /亚向特性 反向特社 Ckh 血FV 二、半导体二极管 *单向导电性 正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降 —— 硅管0、6~0、7V,锗管0、2?0、3V *死区电压——硅管

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