5G基站用核心射频器件与集成模块.pptVIP

4. 领域布局和重点任务 任务目标：研制功率放大器件及前端模组、波束控制多功能芯片、滤波器/环形器、数模转换、光电收发等产品，成为华为、中兴等通信设备制造商的重要供应商，为我国5G领域提供核心器件支撑。 研究内容：低频段：高性能低噪放及射频开关；高性能模组； GaN功率管与线性功率放大器；微基站用高效率功率放大器；硅基通信射频收发芯片； 毫米波：高性能前端模组； GaN高效Doherty功率放大器；多通道幅相多功能芯片 ;小型化隔离器/环形器 ; 26 GHz多层聚酯薄膜滤波器 ; 前端射频直采软件化处理芯片； 其他：高性能数据转换器及处理芯片 ;高性能频率合成器；光收发芯片及器件 。 参与单位：13所， 8所、12所、14所、38所、55所、声光电公司。 成果效益：预期2020年投产并取得6亿元的营收。 计划进度：2020年低频段器件产业化，2022年毫米波器件产业化。 1）5G基站用核心射频器件与集成模块 /52 2. 5G核心芯片与模块—重点任务 4. 领域布局和重点任务 1）5G基站用核心射频器件与集成模块 /52 2. 5G核心芯片与模块—重点任务 2020年，突破Sub-6GHz频段基站功放及模组、开关低噪放、硅基射频收发芯片、数模转换器及滤波器产品技术并实现产业化；2022年，突破豪米波基站功放及模组、硅基射频收发芯片、模数转换、直采处理器芯片产品技术并实现产业化；产品指标达到国际先进水平，在GaN器件及前端模块细分领域达到国际领先，工艺节点、产线制程及良率水平与国外相当。 5G基站用核心射频器件与集成模块 已经突破的关键技术和已经取得的成功和应用 已突破低频大功率GaN器件技术，研制出低频系列化宏基站大功率GaN功放器件；已突破毫米波GaN 器件及高频封装技术，研制出26GHz、28GHz、39GHz 毫米波GaN功放器件；已突破MEMS滤波器研制技术，研制出26GHz、28GHz、39GHzMEMS滤波器。 以上产品已批量或小批量供货，已在欧洲、日本软银及中国本土试验网进行使用及验证。 在行动中需要重点突破的技术 5G基站用射频前端技术 5G基站用GaN Doherty集成技术 5G基站用硅基射频收发芯片及ADC/DAC转换器技术 5G基站用器件模块低成本及产业化技术 *