国家标准-硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法-编制说明（讨论稿）.pdfVIP

国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换 红外光谱法》（讨论稿）编制说明 一、工作简况 1、项目背景和立项意义 硅单晶是用高纯度的多晶硅在单晶炉内通过区熔或直拉的方式拉制而成，用于制 造半导体器件、太阳能电池等。碳和氧是硅单晶中十分重要的杂质元素，无论对太阳 能电池还是电子器件的硅单晶材料性能都有影响。 碳主要存在于直拉硅单晶中，在区熔硅单晶中偶尔也能观测到。同时，硅中碳主 要处替代位置，特殊情况下，碳也可以间隙态存在。当碳原子处于晶格位置时，由于 碳的原子半径小于硅原子的半径，会引入晶格应变，使器件的击穿电压大大降低，漏 电流增加，对器件的质量有负作用。碳在硅中的扩散速度相对较慢，碳的分凝系数比 较小（0.07），在硅单晶中呈条纹状分布的倾向比较严重。受生产成本控制影响，直拉 硅单晶生产企业已开始推广连续投料拉晶工艺，采用连续拉晶技术，多晶硅中的碳会 不断富集在硅单晶中，目前连续投料直拉硅单晶工艺对多晶硅料中碳含量的要求为小 15 -3 于2.5×10 atoms ·cm （0.05ppma）以下；高纯区熔硅单晶和集成电路用的直拉硅单 15 -3 晶中，碳的浓度能够控制在5×10 atoms ·cm （0.1ppma）以下。 氧处在硅中间隙位置，在高温时以间隙形式扩散，因此它是一种快扩散杂质。氧 是在晶体生长过程中引入的，可以提高硅片的机械强度，但是在随后的器件制造工艺 过程中，由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和 沉淀，形成氧施主、氧沉淀及其诱生的二次缺陷。这些缺陷一方面可以结合器件工艺， 形成内吸杂结构，吸除硅片中的金属杂质，另外一方面，过量的氧沉淀又会导致硅片 的翘曲，而且氧沉淀诱生的二次缺陷对硅材料和器件的电学性能也有破坏作用。 为确保硅晶体中的碳、氧杂质含量的测量准确性，原有标准 GB/T 35306-2017 的 适用范围、试验数据处理等内容存在与实际情况不一致之处，有必要对原标准进行修 订。 本标准修订将结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行适当修改，同时 增加多个实验室的测量精密度，使GB/T 35306 更为完善，从而更好地满足半导体产业 发展的需要。 1 2、任务来源 2020 年3 月，根据《国家标准化管理委员会关于下达2021 年推荐性国家标准计划 (修订)的通知》（国标委发[2021] 19 号）的要求，由青海芯测科技有限公司负责《硅 单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》，计划编号T-469， 要求任务完成时间为2022 年。 3、项目承担单位概况 青海芯测科技有限公司是青海黄河上游水电开发有限责任公司的全资子公司，由 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司实验室独立划转后成立，主要为青 海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司年产2500 吨电子级多晶硅项目的提供 检测服务，研发技术支持，同时承接外部样品检测业务，开展集成中路用材料检测技 术研究。实验室为CNAS 和CMA 认可实验室，具有多种先进的测试手段和检测能力，积 累了丰富的生产和研究经验。设备力量雄厚，测试经验丰富。多年来我们承担了工信 部关于《多晶硅行业准入测评》过程中几十家企业的硅材料产品样本的检测工作，工 信部“十一五”电子信息产业发展基金《多晶硅生产副产物循环利用技术研发及产业 化》项目的研发工作，国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》（02 专项）电子级多晶硅材料研发项目。 青海芯测科技有限公司现有工作人员26 名，其中高级工程师4 名，工程师9 名， 助理工程师10 名；其中有多人长期从事半导体材料分析，具有丰富的半导体材料分析 检测经验。公司有等离子质谱仪、等离子发射光谱仪、常温及低温傅立叶变换红外光 谱仪等50 台套大中型设备；所有测量设备定期维护和溯源检定，其能力符合开展半导 体材料检验的资源配置的要求。青海芯测科技有限公司具备标准起草工作的实验条件 和能力，将联合国内的多家企业及专业质检机构共同完成好该标准的修订工作。 4、主要工作过程 任务下达后，为顺利完成该项工作，2021 年4 月青海芯测科技有限公司成立了专 门的标准编制小组，明确了工作指导思想，制定了工作