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电子科技大学2021半导体物理期末考试试卷B试题答案 学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2021年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 复核人 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 签名 得分 签名 得 分 一、填空题: （共16分，每空1 分） 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流子的散射作用不可忽略。 2. 处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻 率会 上升/增大 。 3. 电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。 4. 随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。