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第 1 章 电力电子器件 1. 电力电子器件一般工作在 _开关 _状态。 2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 _通态损耗 _ ，而当器件开关频率 较高时，功率损耗主要为 _开关损耗 _ 。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由 _控制电路 _ 、_驱动电路 _ 、_主电路（以电力 电子器件为核心） _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 _ 。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况， 电力电子器件可分为 _单极型器 件_ 、 _双极型器件 _ 、_复合型器件 _三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为 _不可控器件 _ 。 6. 电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _ 、_快恢复二极管 _ 、 _ 肖特基二极管 _ 。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _ 小于 _快恢复二极管的开关损耗。 8. 晶闸管的基本工作特性可概括为 正向 有触发则导通、 反向 截止 。 9. 对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 I L 在数值大小上有 IL_大于 2-4 倍_ IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压 UDRM与转折电压 Ubo 数值大小上应为， UDRM_低于_ Ubo。 11. 逆导晶闸管是将 _二极管 _ 与晶闸管 _反并联 _ （如何连接）在同一管芯上的功率 集成器件。 12. GTO的_ 阴极和门极在器件内部并联 _ 结构是为了便于实现门极控制关断而设计 的。 13. 功率晶体管 GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 _二次击穿 _ 。 14. MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR共发射极接法时的输出特性中的 三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _ 、前者的饱和区对 应后者的 _放大区 _ 、前者的非饱和区对应后者的 _放大区 _ 。 15. 电力 MOSFET的通态电阻具有 _ 正_温度系数。（） 16. IGBT 的开启电压 UGE （th ）随温度升高而 _略有下降 _ ，开关速度 _低于 _ 电力 MOSFET。 17. 功率集成电路 PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是 _ 智能功率集 成电路 _ 。 18. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质， 可将电力电子器 件分为 _ 电流驱动器件 _和_ 电压驱动器件 _两类。 19. 为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是 _ 负脉冲 _ 。 20. GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 _使基极驱动电流不进入放大和饱 和区 。 21. 抑制过电压的方法之一是用 _储能元件 _ 吸收可能产生过电压的能量， 并用电阻 将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于 _小_功率装置的保护 。 22. 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用 _快恢复 _型二极管， 以便与功率 晶体管的开关时间相配合。 23. 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 R 是_静态均压 _措施，给每只 管子并联 RC支路是 _动态均压 _措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用 _ 先 串后并 _ 的方法。 24. IGBT 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有 _ 负_温度系