模拟电子技术基础期末考试 - 试题.docxVIP

模拟电子技术基础期末考试 - 试题 风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十 模拟电子技术测验 试卷十 班级：___________姓名：___________学号：___________ 1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 ① ③ D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降 图1 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|1的只可能是( )