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半导体少子寿命测量实验 半导体少子寿命测量实验 PAGE 半导体少子寿命测量实验 实验：半导体少子寿命的测量 实验的目的与意义 非平衡少数载流子（少子）寿命是半导体材料与器件的一个重要参数。其测量方法主要有稳态法和瞬态法。高频光电导衰退法是瞬态测量方法，它可以通过直接观测少子的复合衰减过程测得其寿命。 通过采用高频光电导衰退法测量半导体硅的少子寿命，加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解，使学生学会用高频光电导测试仪和示波器来测量半导体少子寿命。 实验原理 半导体在一定温度下，处于热平衡状态。半导体内部载流子的产生和复合速度相等。电子和空穴的浓度一定，如果对半导体施加外界作用，如光、电等，平衡态受到破坏。这时载流子的产生超过了复合，即产生了非平衡载流子。当外界作用停止后，载流子的复合超过产生，非平衡少数载流子因复合而逐渐消失。半导体又恢复平衡态。载流子的寿命就是非平衡载流子从产生到复合所经历的平均生存时间，以?来表示。 下面我们讨论外界作用停止后载流子复合的一般规律。 当以恒定光源照射一块均匀掺杂的n型半导体时，在半导体内部将均匀地产生非平衡载流子Δn和Δp。设在t=0时刻停止光照，则非平衡载流子的减少-dΔp/dt应等于非平衡载流子的复合率Δp（t）/?。1/?为非平衡载流子的复合几率。即： （1-1） 在小注入条件下，?为常量，与Δp（t）无关，这样由初始条件：Δp（0）=（Δp）0可解得： （1-2） 由上式可以看出： 非平衡载流子浓度在光照停止后以指数形式衰减，Δp（?）=0,即非平衡载流子浓度随着时间的推移而逐渐消失。 当t=?时，Δp（?）=（Δp）0/e。即寿命?是非平衡载流子浓度减少到初始值的1/e倍所经过的时间。因此，可通过实验的方法测出非平衡载流子对时间的指数衰减曲线，由此测得到少子寿命值?。 图1-1 高频光电导衰退法测量原理图 高频光电导衰减法测量原理如图1-1所示。样品两端以电容耦合的方式与 高频振荡源的输出和检波器的输入端相连接。 图1-2 测量等效电路图 图1-2是等效电路图。 C0为耦合电容，R为样品电阻。振荡源产生的高频电流通过样品。 图1-3 样品中高频电流的幅值变化 无光照时，样品的电导率?0=q（μnn0+μpp0）为一定值，故高频电流的幅值恒定。如图1-3（a）所示。i=Imeiωt。有光照时，由于样品中产生了非平衡载流子，样品的电导率增大，引起附加电导??。 （1-3） 光照停止后，非平衡载流子将由于复合而减少，附加电导逐渐减少，样品的电阻增大，回路电流的幅度又恢复到光照前的水平。（1-3）式应用了?n=?p，这是因为光生载流子是成对产生的。 实际上，?i=?I0e-t/?，?I0为恒定光照下的电流增量，它只与光照照度有关。从而回路电流为： i=i0+?i=Imejωt+?I0e-t/τ （1-4） 即光照后回路高频电流的幅度受到了样品光电导变化的调制，其波形变化如图1-3（b）所示。这种光电导调制的高频电流在电阻R0上产生相应的高频电压调幅波： V=ImR0ejωt+?I0R0e-t/τ=Vmejωt+?V0e-t/τ （1-5） 这个高频电压调幅波经过检波电路，将其中的幅度衰减信号解调出来，再经过宽带放大器放大，送至示波器，得到电压的指数衰减曲线为： ?V=?V0e-t/τ （1-6） 由曲线方程（1-6），当?V衰减到1/e的时间时，即为少子寿命?。如图1-4所示。 DF8020A型示波器少子寿命测试仪专用测试线图1-4 ?V DF8020A型示波器 少子寿命测试仪 专用测试线 实验内容 采用高频光电导衰退法测量单晶硅的少子寿命，并观察光源经滤光片滤光后测试曲线的变化。 实验仪器与样品 哈尔滨工业大学自制的HM-HLT-1型高频光电导衰退法测少子寿命测试仪，DF8020A型双踪示波器。高阻硅片样品。 实验步骤 （一）准备 按图1-5将测试仪与示波器连接好。 抽出测试仪活动仓门，放入待测样品后将仓门关紧，以防在测量时有强光逸出，影响调试与读数。 先打开示波器电源，在无信号输入的情况下调节示波器的初始状态。将“输入”放在交流，“方式”放在Y1，“扫描方式”放在自动，调节“位移”旋钮，使光标成为一条直线，并与显示屏上的标准曲线横轴相重合。 将测试仪的频率调节和“光强调节”调至最小，打开测试仪电源。 图1-5 少子寿命测量系统 （二）测试 少子寿命测试仪工作，闪光管放电，光强指示随着每次放电而抖动。测试仪前置面板上“频率调节” 、“光强调节”旋钮可调节光照闪烁频率与光强，按顺时针方向增大，一般测试使用时，频率约在1HZ—2HZ之间，光强调节旋钮位置约为230V。在测量时，如