功率MOSFET简明教程 21ҳ 3.9M.pdfVIP

作者： Jonathan Dodge Microsemi Corporation 众所周知，由于采用了 绝缘栅 ，功率 MOSFET 器件只需很小的驱动功率，且 开关 速度优异。 可以说具有 理想开关“ ”的特性。其主要缺点是开态电阻 (R DS(on) )和正温度系数较高。本教程 阐述了高压 N 型沟道功率 MOSFET 的特性， 并为器件选择提供指导。 最后，解释了 Microsemi 公司 Advanced Power Technology (ATP) MOSFET 的数据表。 功率 MOSFET 结构 图 1 为 APT N 型沟道功率 MOSFET 剖面图 ( 本文只讨论 N 型沟道 MOSFET) 。在栅极和源 极间加正压， 将从衬底抽取电子到栅极。 如果栅源电压等于或者高于阈值电压， 栅极下沟道 区域将积累足够多的电子从而产生 N 型反型层；在衬底形成导电沟道 (MOSFET 被增强 ) 。 电子在沟道内沿任意方向流动。电子从源极流向漏极时，产生正向漏极电流。沟道关断时， 正向漏极电流被阻断，衬底与漏极之间的反偏 PN 结维持漏源之间的电势差。对于 N 型 MOSFET ，正向导通时，只有电子流，没有少子。开关速度仅受限于 MOSFET 内寄生电容 的充电和放电速率。因此，开关速率可以很快，开关损耗很低。开关频率很高时，这让功率 MOSFET 具有很高的效率。 图 1：N 型沟道 MOSFET 剖面图。 开态电阻 开态电阻 RDS(on) 主要受沟道、 JFET( 积累层 )、漂移区和寄生效应 (多层金属，键和线和封装 ) 等因素的影响电压超过 150V 时， R DS(on) 主要取决于漂移区电阻。 图 2 ：RDS(on) 与电流的关系。 高压 MOSFET 中R DS(on) 与电流的相关较弱。电流增大一倍 RDS(on) 仅提高了 6% ，见图 2 。 图 3 ：RDS(on) 与温度的关系。 相反，温度对 RDS(on) 的影响很大。 如图 3 ，温度从 25 ℃升高到 125 ℃，开态电阻提高近一倍。 图 3 中曲线的斜率反映了 RDS(on) 的温度系数，由于载流子仅为多子，该温度系数永远为正。 随着温度的升高，正温度系数将使导通损耗按照 I2R 增大。 功率 MOSFET 并联时，正的 RDS(on) 温度系数可以保证热稳定性，这是其很好的特性。然而， 不能保证各分路的电流均匀。这一点容易被误解。 MOSFET 易于并联正是因为其参数的分 布狭窄，特别是 RDS(on) 。并且与正温度系数相结合，可避免电流独占。 如图 4 ，对于任何给定的芯片尺寸，随着额定电压的增大， RDS(on) 也会随之增大。 图 4 ：归一化后的 RDS(on) 与V (BR)DSS 的关系。 对于功率 MOS V 型和功率 MOS 7 型 MOSFET 器件，通过对额定 RDS(on) 与V (BR)DSS 的关系曲线 进行拟和，可发现 RDS(on) 增量与 V (BR)DSS 的平方成正比。这种非线性关系显示了降低晶体管 导通损耗的可能 [2] 。 本征和寄生参数 JFET 寄生于 MOSFET 结构中，见图 1 。这对 R DS(on) 影响很大，并且是 MOSFET 正常操作的 一部分。 本征衬底二极管 衬底和漏之间的 PN 结所形成的本征二极管称为体二极管 (见图 1) 。由于衬底与源极短接， 无法将反向漏极电流关