IGBT与MOS管的区别，IGBT与可控硅的区别，IGBT驱动电路设计 .pdfVIP

IGBT与MOS管的区别，IGBT与可控硅的区别，IGBT驱 动电路设计 - 程序员大本营 IGBT和MOS管的区别： IIGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P 型BJT； 多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压 降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V ），但由于载流子存在，IGBT关断是电流 会拖尾，关断速度会减低； MOS就是MOSFET 的简称了； IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是 半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受 栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控 硅AK两端加反压，才能关断； IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz 以内。 IGBT和可控硅的区别： 　　可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN 结的四层结构的大功 率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以 快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率 的交流电等等。可控硅具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。多用来作可控整 流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、 电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像 机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管) 和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET 的高 输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较 大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种 器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统 如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能 控制关（现在有可关断可控硅了）。受元件制造工艺和工作原理等影响，前者可在较高频率下 工作（最高25KHz左右），后者大多在5KHz 以内，这个是前者比后者的优点。但是前者相比 的缺点是成本高，制造工艺复杂，在高压大电流元件的制造上，还达不到可控硅的能力，并且 在抗过载能力上远远不及可控硅。但是随着制造工艺的进步，短路保护的日趋完善，前者在元 件成本上已经大大下降，在很多场合与可控硅相比价格完全可以接受，并且由于控制灵活方 便，能取消可控硅电路的关断电路等，在很多场合完全可以替代可控硅，并且性能更好。所以 现在很多原来使用可控硅的设备逐渐改用IGBT 了，不能用是不是中频来判断IGBT 或可控硅 了。 KVA:一般是指视在功率，KW:有功功率 IGBT驱动电路设计： IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作，同时对IGBT模块进行保护。 IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要。IGBT是电路的核心器件，它可在 高压下导通，并在大电流下关断，在硬开关桥式电路中，功率器件IGBT能否正确可靠地使用起 着至关重要的作用。驱动电路就是将控制电路输出的PWM信号进行功率放大，以满足驱动 IGBT 的要求，驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。IGBT驱动电路还 为IGBT器件提供门极过压、短路保护、过流保护、过温保护、Vce过压保护（有源钳位）、门 极欠压保护，didt保护（短路过流保护的一种）。 IGBT驱动电路的设计 1. 设计IGBT驱动电路需要考虑的性能参数 1 ）IGBT在电路中承受的正反向峰值电压，可以由下面的公式导出： 　　设计驱动电路时需要考虑到2-2.5倍的安全系数，可选IGBT 的电压为1200V。 2 ）在电路中IGBT导通时需要承受的峰值电流，可以由下面的公式导出： 2.IGBT驱动器的选择 　　在实际电路中，栅极电阻的选择要考虑开关速度的要求和损耗的大小。栅极电阻也不是越 小越好，当栅极电阻很小时，IGBT 的CE 间电压尖峰过大栅极电阻很大时