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AN-1001 了解功率MOS 规格参数 Taiwan Semiconductor 目录 1. 绝对最大额定值3 1.1 漏-源极电压(VDS) 3 1.2 栅-源极电压(VGS) 3 1.3 漏极电流(ID) 3 1.4 脉冲漏极电流(IDM)4 1.5 雪崩电流(IAS) 4 1.6 雪崩能量(EAS) 4 1.7 总耗散功率(PD) 5 1.8 工作结温与存储温度范围(TJ,TSTG)5 2. 散热性能6 2.1 热阻(RθJC ) 6 2.2 热阻(RθJA ) 6 3. 电性规格7 3.1 漏-源极击穿电压(BVDSS) 7 3.2 栅-源极门槛电压(VGS(TH)) 7 3.3 栅-源极漏电流(IGSS) 8 3.4 漏-源极漏电流(IDSS) 8 3.5 漏-源极导通电阻(RDS(ON))8 3.6 正向跨导(gfs) 9 4. 动态性能10 4.1 栅极电荷(Qg) 10 4.2 电容值(输入电容，输出电容，反向传输电容)(Ciss, Coss, Crss) 10 4.3 栅极电阻(Rg) 10 5. 开关时间11 5.1 开关时间(接通延迟时间，上升时间，断开延迟时间，下降时间) (Td(on) ,Tr ,Td(off) ,Tf) 11 6. 源-漏极二极管特性12 6.1 正向导通压降(VSD)12 6.2 体二极管反向恢复(反向恢复时间，反向恢复电荷)(trr,Qrr)12 7. 特性曲线14 输出特性 14 传输特性 14 1 Version: A2012 Taiwan Semiconductor 栅-源极电压对栅极电荷 15 导通电阻对结温 16 源-漏极二极管正向电流对电压 17 漏-源极击穿电压对结温 17 电容对漏-源极电压 18 全工作区域 19 瞬态热阻对结-壳 20 2 Version: A2012 Taiwan Semiconductor 场效应MOSFET 管规格书参数介绍 介绍 在选择 MOSFET 时，多数工程师只关注VDS, RDS(on)和 ID 参数，然而在电源系统中，根据不同的 应用选择合适的 MOSFET 是具有重大意义的。在本应用指南中，台半介绍了MOSFET 每一项参 数的定义，并且从第3 章开始解释了每一项参数是如何测试的，希望对电源项目设计者有所说 明。 1. 绝对最大额定值 绝对最大额定值（TA = 25°C 除非另有注释） 参数