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Application Note SiC 功率器件 ・模块 应用笔记 Rev.003 【注意】 本应用笔记中所记载的测试数据等内容， 仅是将ROHM在同等条件下的测试结果作为参考进行说明。 其中所展示的特性并不是弊公司的保证内容。 © 2020 ROHM Co., Ltd. No. 63AN104C Rev.003 1/84 2020.10 SiC 功率器件 ・模块 应用笔记 Application Note 目录 1. SiC 半导体 5 1.1 SiC 材料的物性和特征 5 1.2 SiC 功率器件的特征 5 2. SiC SBD 的特征 6 2.1 器件结构和特征 6 2.2 SiC SBD 的正向特性 7 2.3 SiC SBD 的反向恢复特性 8 2.4 SiC SBD 的正向浪涌特性 9 2.5 串联 ・并联使用时的注意事项 10 2.5.1 串联使用10 2.5.2 并联使用 10 3. SiC MOSFET 的特征 11 3.1 器件结构和特征 11 3.2 标准化导通电阻（RonA ）12 3.3 V -I 特性13 DS D 3.4 栅极驱动电压和导通电阻 14 3.5 导通电阻的温度系数15 3.6 V -I 特性16 GS D 3.7 开通特性17 3.8 关断特性18 3.9 内部栅极电阻19 3.10 体二极管的反向恢复特性20 3.11 BV （击穿电压）的温度依存性21 3.12 用于反激电源的 1700V SiC MOSFET22 3.13 第三代沟槽栅极 SiC MOSFET23 3.14 开关特性的温度依存性 24 3.15 开关特性的栅极电压依存性 25 3.16 开关速度的漏极电流依存性 25 3.17 寄生电感对开关特性的影响 26 3.18 开尔文源极封装 27 4. 分立器件评估基板 28 4.1 用于 SiC MOSFET 分立器件的评估基板28 4.2 评估事例29 5. 栅极驱动32 5.1 电路方式的注意点32 5.1.1 通过脉冲变压器进行驱动32 5.1.2 通过自举方式进行高边驱动32 5.1.3 通过隔离型电源进行高边驱动32 5.1.4 负偏压产生电路 33 5.2 缓冲电路 34 5.3 UVLO （欠压闭锁）35 5.4 SiC MOSFET 的栅极驱动IC 36 5.5 推荐栅极电压（VGS ）37 © 2020 ROHM Co., Ltd.