栅源电压测定时的注意点.pdfVIP

应用笔记 功率开关元件 栅源电压测定时的注意点 MOSFET 和 IGBT 等功率开关器件在各式各样的电源应用或电气线路中作为开关元件使用。近年得到加速采用的 SiC MOSFET 由于在开关时的电圧电流的变化非常大 ，有必要准确地测定应用笔记 「桥式电路栅源电压的动作」*1 所述栅源极间的电压尖峰。 由此 ，这份应用笔记会对栅源极间电圧测定的注意点予以说明。 使用这样的测定方法 ，在如 Figure 2 所示桥式结构中进行了 一般测定方法 双脉冲 试验 。在 高 边 （HS ）和低 边 （LS ）实装了 罗 姆 的 SCT3040KR 后 ，在 HS 侧切换开关 ，LS 侧会保持 Off 状态 （栅 电源单元等产品中所使用的功率开关元件多数会安装冷却用 极 ＝0V ）。Figure 1 所示的延长线是直接焊接在 HS 侧的栅极 的散热片 ，于是在测定元件端子间的电圧时 ，通常无法在元件 端子和源极端子上的。 端子上直接安装测定电压的探头。一般会在元件的引脚线上焊 接延长线 ，在产品的筐体之外接上电圧探头来测定。 Figure 1 所示的是在罗姆评价基板 (HS) (P02SCT3040KR-EVK-001)上安装散热片 ，再在延长线处连接 VG RG High 电圧探头的案例。被测定元件 DUT 的端子上焊接用来连接电圧 Side 探头的延长线 （长度约 12cm ），通过双绞线来抑制辐射噪声的 L 影响。 V SW E (LS) Low Side Figure 2. 双脉冲试验电路 Figure 3 所示的是实测的栅源电压波形。外接栅极电阻 RG 为 10Ω时 ，延长线的影响并不大 ，但将 R 设定为 3.3Ω并加快 G 开关速度的话 ，由于电圧电流的变化会诱发噪声和电路的高频