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MOS管驱动基础和时间功耗计算 我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在 不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd 电容是一个Vds 电压的函数。 Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。 这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。 由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds 电压要比原来大很多，这个称 为米勒效应。 由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要 修改Cgd的值。 开启和关断的过程分析： 功耗的计算： MOSFET 驱动器的功耗包含三部分： 1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。 与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低 的开关频率时。 2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。 高电平时和低电平时的静态功耗。 3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。 由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于 输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时 同时导通而引起的。