集成电路芯片封装第四讲.pptxVIP

芯片互连技术;前课回顾; 引线键合技术（WB）;引线键合技术概述;引线键合技术分类和应用范围; 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。;超声键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 热压键合：利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形 ，常用于Au丝键合。 金丝球键合：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。; 球形键合 第一键合点 第二键合点;采用导线键合的芯片互连;不同键合方法采用的键合材料也有所不同： 热压键合和金丝球键合主要选用金（Au）丝，超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si-Al丝（Al-Mg-Si、Al-Cu等） 键合金丝是指纯度约为99.99％，线径为l8～50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度，金丝中往往加入铍(Be)或铜。 ;键合对金属材料特性的要求： 可塑性好，易保持一定形状，化学稳定性好；尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。;金属间化合物形成——常见于Au-Al键合系统 引线弯曲疲劳 引线键合点跟部出现裂纹。 键合脱离——指键合点颈部断裂造成电开路。 键合点和焊盘腐蚀 腐蚀可导致引线一端或两端完全断开，从而使引线在封装内自由活动并造成短路。;载带自动键合（TAB）技术概述;TAB技术分类; TAB技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线框架，然后将芯片按其键合区对应放在上面，然后通过热电极一次将所有的引线进行键合。 TAB工艺主要是先在芯片上形成凸点，将芯片上的凸点同载带上的焊点通过引线压焊机自动的键合在一起，然后对芯片进行密封保护。;TAB技术工艺流程;TAB技术工艺流程;TAB技术工艺流程;TAB关键技术;TAB关键技术-凸点制作;载带制作工艺实例—Cu箔单层带;内引线键合 (ILB) ;TAB关键技术-封胶保护;外引线键合 OLB;TAB技术的关键材料;2）TAB金属材料 制作TAB引线图形的金属材料常用Cu箔，少数采用Al箔：导热性和导电性及机械强度、延展性。;TAB技术的关键材料;TAB的优点;倒装芯片键合技术;倒装芯片键合技术;倒装芯片键合技术应用;凸点类型和特点 按材料可分为焊料凸点、Au凸点和Cu凸点等 按凸点结构可分为：周边性和面阵型 按凸点形状可分为蘑菇型、直状、球形等; 形成凸点的工艺技术有很多种，主要包括蒸发/溅射凸点制作法、电镀凸点制作法、置球法和模板制作焊料凸点法等。; 制作出来的凸点芯片可用于陶瓷基板和Si基板，也可以在PCB上直接将芯片进行FCB焊接。 将芯片焊接到基板上时需要在基板焊盘上制作金属焊区，以保证芯片上凸点和基板之间有良好的接触和连接。金属焊区通常的金属层包括： Ag/Pd-Au-Cu（厚膜工艺）和Au-Ni-Cu（薄膜工艺） PCB的焊区金属化与基板相类似。;倒装焊接工艺 热压或热声倒装焊接：调准对位-落焊头压焊（加热）;再流倒装焊接（C4技术） 对锡铅焊料凸点进行再流焊接;环氧树脂光固化倒装焊接法;倒装芯片下填充;倒装芯片下填充方法;FCB技术特点