集成电路工艺技术系列讲座.pptxVIP

集成电路工艺技术;集成电路工艺技术讲座第一讲;引言;集成电路技术发展趋势;IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小;IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小;IC技术发展趋势(1)集成度不断提高－摩尔定律;IC技术发展趋势(2)硅片大直径化;IC技术发展趋势(3)CPU运算能力;IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化;IC技术发展趋势(5)芯片价格不断降低;MOSFET等比例缩小;基本长沟道MOSFET器件;短沟道效应;短沟道效应;MOSFET等比例缩小示意;MOSFET等比例缩小规则;恒电场和恒电压缩小;双极型晶体管的等比例缩小;平面工艺－图形转移技术;平面工艺－制造二极管;平面工艺－制造二极管;集成电路单项工艺;工艺整合;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;双极集成电路工艺;集成电路制造环境;IC 制造环境(1)净化级别和颗粒数;净化室;IC制造环境(2) 超纯水;IC制造环境(3)超纯化学药品;讲座安排;硅衬底材料;硅衬底材料;从原料到抛光片;起始材料;CZ(直拉）法生长单晶;分凝系数;掺杂物质的分布;有效分凝系数;硅片准备;硅片的定位面;硅片的定位面／定位槽;金刚石晶体结构;晶体缺陷;点缺陷;位错;位错;滑移线;滑移线腐蚀坑;层错;OISF;ESF (Epi Stacking Faults)(111);ESF(Epi Stacking Faults)(100);氧沉淀 –氧在硅中固溶度;BMD (Bulk Micro Defects);缺陷的两重性;吸杂 (Gettering);DZ (Denuded Zone);抛光片主要技术指标;抛光片主要技术指标