大二f模电3半导体三极管.pptxVIP

晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数 一 晶体管的结构和符号中功率管小功率管大功率管多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。二 晶体管的放大原理少数载流子的运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流直流电流放大系数交流电流放大系数穿透电流集电结反向电流三 晶体管的共射输入特性和输出特性1. 输入特性对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。2. 输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。饱和区放大区截止区晶体管的三个工作区域状态uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥ UonβiB≥ uBE饱和≥ Uon＜βiB≤ uBE晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。四 温度对晶体管特性的影响临界饱