[NSFC]碳基无掺杂纳电子器件和集成电路要点.pdfVIP

项目名称： 碳基无掺杂纳电子器件和集成电路 首席科学家： xxx 起止年限： 2011.1 至 2015.8 依托部门： 教育部 二、预期目标 本项目的总体目标： 本项目的总体目标为发展有自主知识产权的低成本高性能碳基纳电子、 光电 子集成芯片， 建设一支高水平的碳基纳米电子和光电子学的研究队伍， 培养相关 领域的优秀青年人才，将项目的主要支撑单位“纳米器件物理与化学教育部重点 实验室”建设成为国际著名的纳米器件研究中心。在碳纳米管 CMOS 集成电路方 面，制备出中等规模的碳纳米管 CMOS 集成电路，例如碳纳米管全加器。在高 性能碳纳米管基光电器件方面， 做到发光器件的室温电致发光光谱的半高宽和荧 光光谱相当，即不大于 30 meV，探测器的光电压不小于 0.2 V ，并初步实现纳电 子电路的电信号与光通讯电路的光信号间的相互转换。 五年预期目标： 五年预期目标为探索碳基纳电子和光电子器件的极限性能， 并利用这些器件 构建成若干高性能电路，预计可以取得如下成果： （1） 集成电路用碳纳米管阵列的可控生长。 在晶片尺寸绝缘基底上制备出 直径大约在 1.5 nm，管径分布不超过 0.3 nm 的平行半导体性单壁碳 管，初步实现碳纳米管的间距和位置可控， 半导体性碳纳米管含量高 于 95% 。 （2 ） 适合于碳基电子学的高 κ栅介质材料。在碳纳米管或石墨烯上生长出 等效氧化层厚度 (EOT)小于 2 纳米的栅介质薄膜，薄膜材料能隙在 5 2 电子伏特以上，在 1MV/cm 的电场下，漏电流低于 10mA/cm ，对器 件载流子迁移率和电导的损害在 10%以下。 （3 ） 碳基新型射频电路。 测量高频下碳基纳米结构的动能电感， 利用碳纳 米结构搭建新型的碳基射频电路。 （4 ） 纳米阻变存储器。 利用碳基材料作为存储介质， 结合传统硅基驱动电 路，实现可工作的原型碳基纳米存储器。 （5 ） 优秀人才培养。 将年轻学者培养成为能够独当一面的学科带头人， 项 目执行期间培养出 1-2 名国家杰出青年基金获得者； 将一线工作的优 秀学生培养成为具有独立工作能力的优秀科研工作者， 项目执行期间 培养出 2 名以上的市级和国家级优秀博士论文获得者；毕业 50 名以 上博士后和研究生。将本项目主要支撑实验室“纳米器件物理与化学” 教育部重点实验室建设成为国际著名的纳米电子和光电子器件研究 基地，每年在重要的学术会议上应邀做 10 个以上的特邀报告。 （6 ） 项目执行期间发表 100 篇以上高影响因子（大于 3）论文，申请 20