IR2110驱动MOSIGBT组成H桥原理与驱动电路分析[参照].pdfVIP

IR2110 驱动 MOS IGBT组成 H桥原理与驱动电路分析 3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H 桥工作原理及驱动分析 要控制电机的正反转，需要给电机提供正反向电压，这就需要四路开关去控制电机 两个输入端的电压。 H 桥驱动原理等效原理图图如图 3-5 所示，当开关 S1 和 S3 闭合时， 电流从电机左端流向电机的右端，设此时的旋转方向为正向；当开关 S2 和 S4 闭合时， 电流从电机右端流向电机左端，电机沿反方向旋转。 S1 S4 M Motor S2 S3 GND 图 3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为 H桥的电子开关器件有继电器，三极管， MOS 管， IGBT 管等。普通 继电器属机械器件，开关次数有限，开关频率上限一般在 30HZ左右，而且继电器内部 为感性负载，对电路的干扰比较大，但继电器可以把控制部分与被控制部分分开，实现 由小信号控制大信号， 所以高压控制中一般会用到继电器。 三极管属于电流驱动型器件， 设基极电流为 I B，集电极电流为 I C，三极管的放大系数为 β，电源电压 VCC ，集电极 C B C 偏置电 阻 R ，如果 I * β=I , 则三极管处于饱和状态，可以当作开关使用，集电极饱 和电流 I C 的限制，不适合应用于电流要 C =VCC/R C ，由此可见集电极的输出电流受到 R DS GS T 求较高的场合。MOS管属于电压驱动型器件， 对于 NMOS 来说，只要 V ≥V -V 即可实 现 NMOS 的饱和导通，MOS 管开启与关断的能量损失仅是对栅极和源极之间的寄生电 容的充放电，对 MOS管驱动端要求不高，同时 MOS 端可以做到很大的电流输出，因此 一般用于需要大电流的场所。 IGBT 则是结合了三极管和 MOS管的优点制造的器件，一 般用于高压控制电路中。综合考虑，本设计选用了 4 只 NMOS管 IRF3205 组成 H桥，其 具有导通电阻 R 小，官方数据手册显示仅为 8.0 毫欧，电流 I 可以达到 110A等优点。 DS D NMOS 组成的 H 桥模型如图 3-6 所示。 Q1 Q2 F M Motor Q3 Q4 GND 图 3-6 NMOS 管构成的 H 桥模型 结合